6月7日、BusinessPostの報道によると、長鑫存储はスマートフォン、IT機器、ロボット、自動運転車などにおけるLPDDR技術において韓国水準に迫っており、既に次世代のLPDDR6技術の開発に着手している。後れを取らないため、サムスン電子DS部門の副会長である全永铉氏は、今…
6月7日、BusinessPostの報道によると、長鑫存储はスマートフォン、IT機器、ロボット、自動運転車などにおけるLPDDR技術において韓国水準に迫っており、既に次世代のLPDDR6技術の開発に着手している。
後れを取らないため、サムスン電子DS部門の副会長である全永铉氏は、今年下半期に「1c DRAM」プロセス技術を用いて次世代「LPDDR6」メモリの開発と量産を開始し、クアルコムなどのテクノロジー大手企業への供給を計画している。
半導体業界では、現在の開発速度を考慮すると、長鑫ストレージは2026年にLPDDR6の量産化を実現する可能性があり（2023年末にLPDDR5の商用化を実現済み）、サムスン電子の量産化時期との差は1年未満とされています。
DRAMプロセスの開発順序は、1x（第1世代）、1y（第2世代）、1z（第3世代）、1a（第4世代）、1b（第5世代）、1c（第6世代）です。各世代の進化に伴い、線幅がより細くなり、性能とエネルギー効率が向上します。
SamMobileの以前の報道によると、クアルコムは次世代ノートPC用SoC「Snapdragon X Elite 2」にLPDDR6メモリを採用する見込みで、同チップは9月23日のSnapdragonサミットで初披露される予定だ。今後の動向に注目が集まる。
BusinessPostは、長鑫ストレージが2026年までにDDR4 DRAMの生産を段階的に停止し、DDR5への移行を発表したと伝えています。同社の目標は、今年末までに月間生産量を30万枚ウェハ（サムスン電子の2024年月間生産量の約45%に相当）まで引き上げることです。
『電子時報』（DigiTimes）は、2025年末までにDDR5、LPDDR5X、LPDDR5が長鑫ストレージのDRAM総生産量の約60%を占めると予測しています。
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