Infineon IMZA120R040M1H/IMZA120R040M1HXKSA1 1200V SiC MOSFET、TO247-4 パッケージ

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Infineon IMZA120R040M1H/IMZA120R040M1HXKSA1 1200V SiC MOSFET、TO247-4 パッケージ

ソース:このサイト時間:2022-08-23ブラウズ数:

TO247-4パッケージの新しいオリジナルのInfineon IMZA120R040M1H / IMZA120R040M1HXKSA1 1200VシリコンカーバイドMOSFETの需要と供給、明佳達はオリジナル、品質保証、価格優位性のみを製造します。実際の注文には詳細についての受け入れ価格があります。電子メール：s…

供給機種：IMZA120R040M1H/IMZA120R040M1HXKSA1

年: 最新の 21+

説明: スルーホール Nチャンネル 1200 V 55A(Tc) 227W(Tc) PG-TO247-4-8

説明: TO247 4 ピンパッケージのインフィニオンの SiC MOSFET は、ゲート回路への寄生ソースインダクタンスの影響を低減し、スイッチングの高速化と効率の向上を実現します。

仕様

FET型Nチャンネル

テクノロジー SiCFET (シリコンカーバイド)

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) 1200 V

25°C での電流 - 連続ドレイン (Id) 55A (Tc)

駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) 15V、18V

さまざまな Id、Vgs でのオン抵抗 (最大) 54.4 ミリオーム @ 19.3A、18V

異なる Id での Vgs(th) (最大) 5.2V @ 8.3mA

さまざまな Vgs でのゲート電荷 (Qg) (最大) 39 nC @ 18 V

Vgs (最大) +20V、-5V

Vds (最大) での入力容量 (Ciss) 1620 nF @ 25 V

FET機能 -

消費電力 (最大) 227W (Tc)

動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)

取付タイプスルーホール

サプライヤーデバイスパッケージ PG-TO247-4-8

パッケージ/エンクロージャー TO-247-4

利点

最高の効率

冷却作業を軽減

高周波動作

電力密度を高める

システムの複雑さを軽減

応用

バッテリー形成

電気自動車の急速充電

モーター制御と駆動

電源管理 (SMPS) - リファレンスデザイン

太陽光発電システムソリューション

同社はまた、Infineon IMZA120R040M1H/IMZA120R040M1HXKSA1 1200V シリコンカーバイド MOSFET を取得し、電子部品、5G モジュール、新エネルギーモジュール、5G チップ、基地局 IC、人工知能 IC、ネットワーク IC など、さまざまな電子廃棄物在庫を高価格で長期間回収しました。、Bluetooth IC、携帯電話IC、車載IC、通信IC、家電IC、電源IC、ドライバIC、IoT IC・モジュールチップ、コネクタ、高周波モジュール、メモリ、リレー、MOS管、マイコン、2次・3次管と他の製品。

リサイクルの具体的なプロセス:

1. IC/モジュール在庫のバックログを簡単に分類し、モデル、ブランド、製造日、数量などを決定できます;

2. 在庫リストを評価チームにファックスまたは電子メールで送信してください。

3.会社の専門家からの購入見積もりを待ち、合意に達した後、両当事者は配達のための特定の取引方法を交渉します。

4. 代理店、トレーダー、端末工場などの通常の商品ソースのみがリサイクルされ、通常のソース以外のソースは受け入れられません。

会社のホームページ: www.hkmjd.com

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