深圳市明佳達会社新オリジナル販売インフィニオン SiC MOSFET IMZ120R140M1H/IMZ120R140M1HXKSA1 TO-247-4 パッケージ 1200V CoolSiC
深圳市明佳達会社新オリジナル販売インフィニオン SiC MOSFET IMZ120R140M1H/IMZ120R140M1HXKSA1 TO-247-4 パッケージ 1200V CoolSiC
供給モデル: IMZ120R140M1H/IMZ120R140M1HXKSA1
ロット番号: 21+
説明: スルーホール Nチャンネル 1200 V 19A(Tc) 94W(Tc) PG-TO247-4-1
仕様
シリーズ CoolSiC™
包装チューブ
FET型Nチャンネル
テクノロジー SiCFET (シリコンカーバイド)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) 1200 V
25°C での電流 - 連続ドレイン (Id) 19A (Tc)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) 15V、18V
さまざまな Id、Vgs でのオン抵抗 (最大) 182 ミリオーム @ 6A、18V
異なる Id での Vgs(th) (最大) 5.7V @ 2.5mA
異なる Vgs でのゲート電荷 (Qg) (最大) 13 nC @ 18 V
Vgs (最大) +23V、-7V
Vds での入力容量 (Ciss) (最大) 454 pF @ 800 V
FET機能 -
消費電力 (最大) 94W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ スルーホール
サプライヤー デバイス パッケージ PG-TO247-4-1
パッケージ/エンクロージャー TO-247-4
機能説明
クラス最高のスイッチング損失と導通損失
基準高しきい値電圧、Vth > 4 V
シンプルで簡単なゲート駆動のための0Vターンオフゲート電圧
広いゲート-ソース電圧範囲
ハード整流用の低損失で堅牢なボディ ダイオード
温度に依存しないスイッチのターンオフ損失
ソースピンを駆動してスイッチング性能を最適化
応用分野
無停電電源装置 (UPS)
電気自動車の急速充電
ソーラー システム ソリューション
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