ROHMがAIサーバ用100 VパワーMOSFET RY7 P250 BMを開発

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ROHMがAIサーバ用100 VパワーMOSFET RY7 P250 BMを開発

ソース:このサイト時間:2025-06-03ブラウズ数:

世界的な半導体メーカーであるローム(本社京都市)は本日、AIサーバーの48V電源用ホットプラグ回路や、電池保護が必要な産業機器の電源などに最適な100V耐圧のパワーMOSFET「RY7P250BM」を開発したと発表しました。RY7P250BMは88mmサイズのMOSFETで、今後も需要が伸びてい…

世界的な半導体メーカーであるローム(本社京都市)は本日、AIサーバーの48V電源用ホットプラグ回路や、電池保護が必要な産業機器の電源などに最適な100V耐圧のパワーMOSFET「RY7P250BM」を開発したと発表しました。

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RY7P250BMは8×8mmサイズのMOSFETで、今後も需要が伸びていくことが予想され、従来品を簡単に代替できるサイズです。また、より広いSOA範囲(条件:VDS=48V、Pw = 1ms/10ms)と、より低いオン抵抗(RDS(on))を同時に実現することで、ホットプラグ動作時の信頼性の高さと、電源効率の最適化、電力消費の低減と発熱量の低減を実現しています。

サーバーの安定稼働と省エネを両立させるためには、ホットプラグ回路は大きな電流負荷に耐えるために広いSOA範囲を持つ必要があります。特にAIサーバーのホットプラグ回路は、従来のサーバーに比べて広いSOA範囲が必要です。RY7P250BMのSOAは、幅10msで16A、1msでも50Aと、従来のMOSFETでは対応が難しかった高負荷アプリケーションにも対応できる業界最高の性能を実現しています。

RY7P250BMは、業界でも超広いSOA範囲を持つMOSFETでありながら、より低いオン抵抗を実現し、通電時の電力損失と発熱量を大幅に低減しました。一般8×8 mm幅を持つsoa範囲のサイズが100 vの耐圧mosfet導電気遮断さは约2.28 mオメガ、多数でry7p250bm導通の抵抗は約18%引き下げた——わずか1.86 mオメガ(条件:vgs = 10 v、id = 50 a、tj = 25℃)。この低オン抵抗はサーバー電源の効率化、冷却負荷の軽減、電力コストの低減に寄与します。

また、RY7P250BMは、世界有数のクラウドプラットフォーム企業から推奨デバイスとしても認証されており、今後、AIサーバー分野での活用が期待されます。信頼性と省エネを重視するサーバー分野では、RY7P250BMの広いSOA範囲と低いオン抵抗のバランスがクラウドアプリケーションで高い評価を得ています。

新製品は、ひとまず月産100万個規模で量産に入りました(サンプル価格800円/個、税抜き)。生産拠点は前工程がROHM Co., Ltd.(滋賀工場)、後工程がOSAT(タイ)です。なお、新商品はすでにecでの販売を開始しており、ecサイトからの購入も可能です。

今後も、サーバーや産業機器の48V電源に適用できる製品ラインナップを拡大し、高効率かつ信頼性の高いソリューションを提供することで、持続可能なICTインフラの構築と省エネに貢献していきます。

<開発の背景です>

AIの飛躍的な進歩により、データセンターの負荷が急激に増え、サーバの電力消費も年々増加しています。特に、生成型AIや高性能GPUを搭載したサーバーが普及するにつれ、さらなる電力効率の向上と大電流への対応という相反するニーズをどう両立させるかが課題となってきました。こうした背景から,従来型の12V電源システムより変換効率を高めた48V電源システムの利用拡大が加速しています。また,サーバー稼働状態でのモジュール交換を実現するホットプラグ回路では,サージ電流や過負荷による破損を防ぐために,より広いSOA範囲とより低いオン抵抗を兼ね備えたMOSFETが必要になります。新製品「RY7P250BM」は,8×8mmで業界では超広いSOA範囲と超低オン抵抗を備え,データ・センターにおける電力損失の低減と冷却負荷の軽減,サーバーの信頼性向上と省エネを実現します。

<応用例です>

AI(人工知能)サーバーやデータセンターの48Vシステム電源用ホットプラグ回路です

工業設備48Vシステム電源(フォークリフト、電働工具、ロボット、ファン電机など)です。

AGV(自動誘導車)などバッテリー駆動の産業機器です

UPS、非常用電源システム(バッテリーバックアップユニット)です。

当社ホームページ:www.hkmjd.comです。

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