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炭化ケイ素 CoolSiC™ MOSFET IMBG120R090M1H 1200V トレンチ型販売

炭化ケイ素 CoolSiC™ MOSFET IMBG120R090M1H 1200V トレンチ型販売

ソース:このサイト時間:2022-08-22ブラウズ数:

深圳市明佳达電子有限会社は、SiC CoolSiC™ MOSFET IMBG120R090M1H 1200V トレンチ タイプを販売しています。オリジナルのみで、多数の工場在庫があります。価格について詳しくは、Mr. Chen qq1668527835、電話 13410018555 までお問い合わせください。デバイスのバリエ…

深圳市明佳达電子有限会社は、SiC CoolSiC™ MOSFET IMBG120R090M1H 1200V トレンチ タイプを販売しています。オリジナルのみで、多数の工場在庫があります。価格について詳しくは、Mr. Chen qq1668527835、電話 13410018555 までお問い合わせください。デバイスのバリエーションは、性能と信頼性を最適化する高度なトレンチ プロセスに基づく D2PAK-7L (TO-263-7) パッケージの 1200 V、90 mΩ CoolSiC™ SiC MOSFET です。


製品モデル: IMBG120R090M1H

ロット番号: 21+

説明: TO-263-7 パッケージの 1200 V CoolSiC™ Trench SiC MOSFET


仕様

FET型Nチャンネル

テクノロジー SiCFET (シリコンカーバイド)

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) 1200 V

25°C での電流 - 連続ドレイン (Id) 26A (Tc)

さまざまな Id、Vgs でのオン抵抗 (最大) 125 ミリオーム @ 8.5A、18V

異なる Id での Vgs(th) (最大) 5.7V @ 3.7mA

さまざまな Vgs でのゲート電荷 (Qg) (最大) 23 nC @ 18 V

Vgs (最大) +18V、-15V

Vds (最大) での入力容量 (Ciss) 763 pF @ 800 V

FET機能 標準

消費電力 (最大) 136W (Tc)

動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)

取り付けタイプ 表面実装

サプライヤー デバイス パッケージ PG-TO263-7-12

パッケージ/ケース TO-263-8、D²Pak (7 リード + タブ)、TO-263CA

基本品番 IMBG120


応用分野

無停電電源装置 (UPS)

電気自動車の急速充電

産業用モーターの駆動と制御

ソーラー システム ソリューション


同社はまた、このインフィニオン シリコン カーバイド CoolSiC™ MOSFET IMBG120R090M1H をリサイクルします。オリジナルの純正製品のみ、新品および再生品は考慮されません。オリジナルのパッケージが優先されます。大量の在庫がある場合は、お問い合わせください。


下記サービスを提供致します:

1、販売代理(他社より高い利益率を提供する)

2、委託販売(プロな物流業者と連携して柔軟に対応する)

3、余剰在庫品を買取(売りにくい余剰在庫品を高価買取する)


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