ROHM初の高耐圧GaNデバイス駆動向け分離型ゲートドライバICが量産開始

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ROHM初の高耐圧GaNデバイス駆動向け分離型ゲートドライバICが量産開始

ソース:このサイト時間:2025-05-28ブラウズ数:

半導体メーカーのロームは,600V級の高耐圧GaN HEMT駆動に適した分離型ゲート・ドライバーIC「bm6gd11bfj-lb」の発売を発表しました。本製品と組み合わせることで、GaNデバイスの高週波、高速スイッチング時の安定した駆動が可能となり、モータやサーバー電源などの大電流…

半導体メーカーのロームは,600V級の高耐圧GaN HEMT駆動に適した分離型ゲート・ドライバーIC「bm6gd11bfj-lb」の発売を発表しました。本製品と組み合わせることで、GaNデバイスの高週波、高速スイッチング時の安定した駆動が可能となり、モータやサーバー電源などの大電流用途での小型化と効率化に貢献します。

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新製品は,ROHM初の高耐圧GaN HEMT向けゲートドライブICです。急激な電圧の升降を繰り返すスイッチングでは、本製品を使用することでデバイスを制御回路から切り離すことができ、安全な信号伝送を確保できます。

新製品は、ローム独自のオンチップ技術を採用することで寄生容量を低減し、高週波2MHz駆動を実現しました。高速スイッチングが可能なGaNデバイスの特性を生かすことで,省エネルギー・高性能化に寄与するほか,周辺デバイスの小型化を支援することで設置面積を削減できるとしています。

また,分離型ゲート・ドライバーICのスクランブリング耐性指標であるコモンモード過渡性スクランブリング耐性(CMTI)は150V/ns(ナノ秒)と従来品の1.5倍となり,GaN HEMTスイッチ時に困る高変換レートによる誤動作を防ぎ,安定した制御が可能となります。最小パルス幅を従来品より33%削減し,オン時間を65nsに短縮しました。そのため、周波数が高くても最小のデューティサイクルを確保でき、損失を少なく抑えることができます。

GaNデバイスのゲート駆動電圧範囲は4.5V ~ 6.0V、絶縁耐圧は2500Vrmsで、さまざまな高耐圧GaNデバイス(ROHM EcoGaN™シリーズのラインナップに追加された650V耐圧GaN HEMT「gnp2070td-z」を含む)の性能を引き出すことができます。出力での消費電流は0.5mA(最大値)と業界では超低消費電力であり,待機電力の低減にも寄与しているとしています。

新製品は2025年3月に量産を開始します(サンプル価格:600円/個、税抜き)。また、新商品の通販も開始しており、ecサイトでも購入できます。

<開発の背景です>

世界のエネルギー消費量が年々増加する中、省エネ対策は世界各国の共通の課題となっています。特に注目すべきは、「モーター」と「電源」が世界の電気使用量の約97%を消費しているという調査結果です。「モータ」や「電源」の効率改善のカギを握るのが、炭化シリコン(SiC)や窒化ガリウム(GaN)などの新素材を用いたパワー制御や変換を担う次世代パワーデバイスです。

ロームはシリコン半導体やSiC分離型ゲートドライバーICの開発で培った技術力を生かし、第1弾としてGaNデバイスの駆動に最適化した分離型ゲートドライバーICの開発に成功しました。将来的にはGaNデバイス駆働用ゲートドライブICとGaNデバイスをセットで提供することで、アプリケーション製品の設計をより便利にするとしています。

<応用例です>

◇産業設備:太陽光インバータ、ESS(エネルギー貯蔵システム)、通信基地局、サーバー、産業電機などの電源です

◇家電製品:白物家電、ACアダプタ(USB充電器)、パソコン、テレビ、冷蔵庫、エアコンです。

当社ウェブサイト:www.hkmjd.comです。

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