明佳達の新しいオリジナル供給 SiC MOSFET トランジスタ IMBG65R039M1H 650V SiC MOSFET は、コンパクトな 7 ピン SMD パッケージに収められており、高度なインフィニオン SiC トレンチ技術に基づいており、高電力アプリケーションに適しています。
明佳達の新しいオリジナル供給 SiC MOSFET トランジスタ IMBG65R039M1H 650V SiC MOSFET は、コンパクトな 7 ピン SMD パッケージに収められており、高度なインフィニオン SiC トレンチ技術に基づいており、高電力アプリケーションに適しています。
製品型式：IMBG65R039M1H/IMBG65R039M1HXTMA1
ブランド: インフィニオン
年: 最新の 21+
パッケージ: TO-263-7
パラメータ
製品カテゴリ: MOSFET
技術: SiC
インストール スタイル: SMD/SMT
トランジスタの極性: N チャネル
チャネル数: 1 チャネル
Vds-ドレイン-ソース間耐圧: 650 V
Id-連続ドレイン電流: 54 A
Rds オンドレイン ソースオン抵抗: 51 mOhms
Vgs - ゲート - ソース間電圧: - 5 V、+ 23 V
Vgs th-gate-source しきい値電圧: 5.7 V
Qg ゲート電荷: 41 nC
最低動作温度: - 55 C
最大動作温度: + 175 C
Pd 消費電力: 211 W
アドバンテージ
高性能、高信頼性、使いやすさ
高いシステム効率と高い電力密度
システムのコストと複雑さを軽減
低コストでシンプルかつ小型のシステムを作成
連続ハード整流トポロジー
高温および過酷な作業環境に適しています
双方向トポロジを実装する
応用
サーバ
電気通信
スイッチング電源 (SMPS)
太陽系
エネルギー貯蔵およびバッテリーシステム
無停電電源装置 (UPS)
電気自動車の充電
モータードライバー
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