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新品・オリジナルRFトランジスタ[GTVA262701FA-V2-R2] RFジャンクションゲート電界効果トランジスタ

新品・オリジナルRFトランジスタ[GTVA262701FA-V2-R2] RFジャンクションゲート電界効果トランジスタ

ソース:このサイト時間:2024-04-15ブラウズ数:

深圳市明佳達電子有限会社は、ブランドの新しい、元のRFトランジスタ[GTVA262701FA-V2-R2]RFジャンクションゲート電界効果トランジスタ(RF JFET)トランジスタ270W GaN HEMT 48V 2496〜2690MHzを販売しています。製品概要 GTVA262701FA-V2-R2は、マルチスタンダードセル…

深圳市明佳達電子有限会社は、ブランドの新しい、元のRFトランジスタ[GTVA262701FA-V2-R2]RFジャンクションゲート電界効果トランジスタ(RF JFET)トランジスタ270W GaN HEMT 48V 2496〜2690MHzを販売しています。


製品概要 

GTVA262701FA-V2-R2は、マルチスタンダードセルラーパワーアンプアプリケーション用の270W炭化ケイ素窒化ガリウム高電子移動度トランジスタ(HEMT)です。 入力整合、高効率、ラグフランジフリー熱強化表面実装パッケージが特長です。


特長

- SiC HEMT窒化ガリウム技術

- 入力整合

- 標準パルスCW性能:パルス幅10 µs、デューティサイクル10%、2690 MHz、48 V

- 出力電力(P3dB時) = 270 W

- 効率 = 66

- 利得 = 18.1 dB

- 人体モデル・レベル1B(ANSI/ESDA/JEDEC JS-001準拠)

- 10:1 VSWR @ 48 V、60 W (WCDMA)の出力電力に対応可能

- 鉛フリー、RoHS対応


カテゴリー: トランジスタ

シリーズ: GaN  

パッケージ:テープ&リール(TR)  

部品ステータス: 発売中  

技術: HEMT  

周波数: 2.62GHz~2.69GHz  

ゲイン: 17dB  

電圧-テスト: 48 V  

定格電流(アンペア): -  

雑音指数:  

電流 - テスト: 320 mA  

出力:270W  

電圧 - 定格: 125 V  

取付タイプ: 表面実装  

パッケージ/ケース: H-87265J-2  

サプライヤーデバイスパッケージ: H-87265J-2  

ベース製品番号: GTVA262701 

GTVA262701FA-V2-R2.jpg

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