SKハイニックスは5月23日、モバイル向けソリューション製品として世界最高の321層1Tb（テラビット）TLC（トリプルレベルセル）4D NANDフラッシュメモリー「UFS 4.1」の開発に成功したと発表した。SK Hynixは、「モバイル機器のオンデバイスAIを安定的に動作させるためには…
SKハイニックスは5月23日、モバイル向けソリューション製品として世界最高の321層1Tb（テラビット）TLC（トリプルレベルセル）4D NANDフラッシュメモリー「UFS 4.1」の開発に成功したと発表した。
SK Hynixは、「モバイル機器のオンデバイスAIを安定的に動作させるためには、NANDフラッシュソリューション製品は高性能と低消費電力を両立する必要があります。 AIワークロードに最適化されたこのUFS 4.1製品により、同社はフラッグシップスマートフォン市場におけるメモリー技術のリーダーシップをさらに強化していく。"と述べている。
同社によると、エンド・サイドのAIに対する需要が拡大し続けるなか、エンド・デバイスにおけるコンピューティング性能とバッテリー効率のバランスはますます重要になっており、超薄型設計と低消費電力機能はモバイル・デバイスの業界標準となっている。
このトレンドに対応するため、同社は238層NANDフラッシュをベースとした従来製品よりもエネルギー効率を7％向上させた新製品を開発した。 同時に、厚さを1mmから0.85mmまで薄くすることに成功し、超薄型スマートフォンへの搭載を可能にした。
問い合わせによると、同製品は、第4世代UFS製品として最大4300MB/秒のピークシーケンシャル読み出しおよびデータ転送速度をサポートし、モバイル機器のマルチタスク能力を左右するランダム読み出しおよび書き込み速度も、前世代製品に比べそれぞれ15%および40%向上しており、現存するUFS 4.1製品としては世界トップレベルとなっている。
本製品は512GBと1TBの容量が用意されている。 同社は今年中に検証用のサンプルを顧客に届け、来年第1四半期に量産に入る予定だ。
連絡先電話：86-755-83294757
企業QQ：1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
サービス時間：9:00-18:00
連絡先メールボックス：sales@hkmjd.com
会社の住所：広東省深圳市福田区振中路国利ビル1239～1241号室
CopyRight©2022 明佳達著作権の所有 広東ICP備05062024号-12
公式QRコード
友情リンク:
最新情報
![[供給] MCU——MSP430FR2632IYQWR（TI）静電容量式タッチセンシングミックスドシグナルマイクロコントローラ](/upload/202505/24/202505241333474556.jpg)
