明佳達が新しいオリジナル IMBG120R220M1H_IMBG120R220M1HXTMA1 1200V トレンチ SiC MOSFET を発売モデル: IMBG120R220M1H_IMBG120R220M1HXTMA1年: 最新の 21+パッケージ: TO-263-7説明: IMBG120R220M1H 1200 V CoolSiC™ トレンチ SiC MOSFET、TO-263-7 パッケージ。仕様…
明佳達が新しいオリジナル IMBG120R220M1H_IMBG120R220M1HXTMA1 1200V トレンチ SiC MOSFET を発売
モデル: IMBG120R220M1H_IMBG120R220M1HXTMA1
年: 最新の 21+
パッケージ: TO-263-7
説明: IMBG120R220M1H 1200 V CoolSiC™ トレンチ SiC MOSFET、TO-263-7 パッケージ。
仕様
FET型Nチャンネル
テクノロジー SiCFET (シリコンカーバイド)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) 1200 V
25°C での電流 - 連続ドレイン (Id) 13A (Tc)
さまざまな Id、Vgs でのオン抵抗 (最大) 294 ミリオーム @ 4A、18V
異なる Id での Vgs(th) (最大) 5.7V @ 1.6mA
異なる Vgs でのゲート電荷 (Qg) (最大) 9.4 nC @ 18 V
Vgs (最大) +18V、-15V
Vds での入力容量 (Ciss) (最大) 312 pF @ 800 V
FET機能 標準
消費電力 (最大) 83W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ 表面実装
サプライヤー デバイス パッケージ PG-TO263-7-12
パッケージ/ケース TO-263-8、D²Pak (7 リード + タブ)、TO-263CA
アドバンテージ
効率を改善する
より高い動作周波数を実現
電力密度を高める
冷却作業を軽減
システムの複雑さとコストを削減
SMDパッケージは、追加のヒートシンクなしで自然対流冷却を実現できるため、PCBに直接統合できます
応用分野
無停電電源装置 (UPS)
電気自動車の急速充電
産業用モーターの駆動と制御
ソーラー システム ソリューション
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