DFN88パッケージに650V耐圧の第3世代SiC MOSFETを新発売-産業機器の高効率化、高電力密度化に貢献-東芝電子部品・ストレージデバイス株式会社（以下、東芝）は、650V耐圧のSiC（シリコンカーバイド）MOSFETの新製品4製品（TW031V65C、TW031V65C、TW031V65C、TW031V65C、T…
DFN8×8パッケージに650V耐圧の第3世代SiC MOSFETを新発売
-産業機器の高効率化、高電力密度化に貢献-
東芝電子部品・ストレージデバイス株式会社（以下、東芝）は、650V耐圧のSiC（シリコンカーバイド）MOSFETの新製品4製品（TW031V65C、TW031V65C、TW031V65C、TW031V65C、TW031V65C、TW031V65C）を発表しました。 -TW031V65C、TW054V65C、TW092V65C、TW123V65Cです。 「TW123V65C」。 TW123V65C "は、最新[1]の第3世代SiC MOSFET技術を搭載し、DFN8×8の小型パッケージで、スイッチング電源や太陽光発電用パワーコンディショナなどの産業機器に適しています。 この4製品は、本日より量産出荷を開始します。
この4つの新デバイスは、TO-247やTO-247-4L(X)などのスルーホールパッケージと比較して、サイズを90%以上削減し、デバイスの電力密度を向上させる小型の表面実装DFN8×8パッケージに第3世代SiC MOSFETを搭載した初めての製品です。 DFN8×8は4ピン[3]パッケージで、ゲート駆動信号ソース端子へのケルビン接続をサポートしています。 これにより、パッケージ内部のソースラインインダクタンスの影響を低減し、高速スイッチング性能を実現しており、例えば「TW054V65C」の場合、当社従来品と比較してターンオン損失を約55％、ターンオフ損失を約25％低減[4]し、デバイスの電力損失の低減に貢献します。
当社は、今後もSiCパワーデバイスのラインアップを拡充し、デバイスの高効率化、大容量化に貢献していきます。
用途
サーバー、データセンター、通信機器などのスイッチング電源
電気自動車充電ステーション
太陽光発電インバーター
無停電電源装置
特徴
DFN 8×8表面実装パッケージによる装置の小型化、自動組立、低スイッチング損失
東芝製第3世代SiC MOSFET
ドリフト抵抗とチャネル抵抗比の最適化によるドレイン・ソース間オン抵抗の良好な温度依存性
低ドレイン・ソースオン抵抗×ゲートリーク電荷量
低ダイオード順方向電圧：VDSF = -1.35V標準（VGS = -5V）
連絡先電話：86-755-83294757
企業QQ：1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
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