新しい基準を打ち立てる！Infineonが新しいOptiMOS™680 VパワーMOSFETを発売

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新しい基準を打ち立てる！Infineonが新しいOptiMOS™680 VパワーMOSFETを発売

ソース:このサイト時間:2025-05-16ブラウズ数:

グラフィックスプロセッサ(GPU)の性能がますます向上し、ボードレベルの電源が求められるようになった。中間バス変換器(IBC)は48 Vの入力電圧を低いバス電圧に変換することができ、AIデータセンターのエネルギー効率、電力密度、放熱性能にとってますます重要になっている…

グラフィックスプロセッサ(GPU)の性能がますます向上し、ボードレベルの電源が求められるようになった。中間バス変換器(IBC)は48 Vの入力電圧を低いバス電圧に変換することができ、AIデータセンターのエネルギー効率、電力密度、放熱性能にとってますます重要になっている。Infineon Technologiesは、コンパクトな5 × 6 mm²の両面放熱(DSC)パッケージを採用したOptiMOS™6 80VパワーMOSFETが、大手プロセッサメーカーのAIサーバープラットフォームのIBCクラスに組み込まれたと発表しました。

適用テストでは、以前に使用されたソリューションと比較して効率が約0.4%向上し、kWあたり約4.3 Wの負荷削減に相当します。これをサーバーラックやデータセンター全体といったシステムレベルにまで広げることができれば、かなりの省エネ効果が期待できます。例えば2,000台のラックを持つ超大規模データセンターでこの取り組みを展開すると、1時間あたり1.2 MWh以上の省エネ効果が得られ、これは小型電気自動車25台分の充電に相当します。これにより、データセンター事業者のコスト削減やカーボンフットプリントの削減など、大きな効果が期待できます。

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AIコンピューティングの需要が伸びていることから、高効率電力管理ソリューションへの需要が高まっています。インフィニオンのOptiMOS™6 80Vは、エネルギー効率の高まりに対応し、AIサーバーIBC向けの高性能ソリューションを提供します。このMOSFETは、5x6 mm²DSCパッケージを採用し、ハードスイッチトポロジでのスイッチング性能を向上させ、オンロスを低減することでエネルギー効率を向上させました。また、このコンパクトパッケージでは両面から放熱が可能で、熱管理の改善や電力密度の向上にも貢献しており、スペースの限られたAIサーバー環境では非常に重要です。

Infineonは、幅広いシリコンベースのパワーMOSFET製品ポートフォリオを持っており、OptiMOS™6 80Vは、AIサーバアプリケーションの性能、効率、集積度の増加に対応するために設計されています。最新のMOSFET技術を採用し、さまざまな用途に対応したモデルを展開しており、すべての製品が放熱設計やシステム要件に最適化されています。InfineonシリコンベースのパワーMOSFETは最高品質と保護基準を達成して、製品の信頼性、システムの正常な運行時間と電源の安定性を保証します。

パワーシステム分野のリーダーであるインフィニオンは、3つの半導体関連材料をすべて掌握しており、シリコン(Si)、炭化シリコン(SiC)、窒化ガリウム(GaN)の幅広い製品ポートフォリオを展開しています。

当社ホームページ:www.hkmjd.comです。

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