TO247パッケージを採用した【IHW20 N135 R5】1350 V IGBTモノリシック集積逆導通ダイオード

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TO247パッケージを採用した【IHW20 N135 R5】1350 V IGBTモノリシック集積逆導通ダイオード

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ihw20n135r5絶縁ゲート二極トランジスタ(,igbt)特別感応の最適化した料理の難しい要求を応用して、ソフトに適用スイッチを応用し、例えば感応调理炉と,電子レンジ、同時に硬スイッチング機能のデザイン‌必要にも適用される。性能パラメータです製品:IHW20N135R5です構成…

ihw20n135r5絶縁ゲート二極トランジスタ(,igbt)特別感応の最適化した料理の難しい要求を応用して、ソフトに適用スイッチを応用し、例えば感応调理炉と,電子レンジ、同時に硬スイッチング機能のデザイン‌必要にも適用される。

产品.png

性能パラメータです

製品:IHW20N135R5です

構成:シングルです

コレクタ-エミッタの最大電圧VCEO: 1.35 kVです

コレクタ-射極飽和電圧:1.65 Vです

ゲート/エミッタの最大電圧は- 20 V, 20 Vです

25 Cの連続コレクタ電流は40 Aです

Pd-電力散逸:288 Wです

最小動作温度:- 40 Cです。

最大動作温度:+ 175 Cです。

シリーズ:RCです

パッケージ:to-247-3です。

インストールスタイル:スルーホールです

ゲートからのリーク電流は100 nAです

製品タイプ:IGBT Transistorsです。

部品番号別名:SP001078568 IHW20N135R5XKSA1です

単位重量:6 gです。

概説します

ihw20n135r5 1項は1350 v、20 a, igbt単管を采to−247実装、単写真を持つ集積逆伝導ダイオード‌‌。この単管,igbt特別感応の最適化した料理の難しい要求を応用して、ソフトに適用スイッチを応用し、例えば感応调理炉と,電子レンジ、同時に硬スイッチング機能が必要なデザインにも適用される‌。

特徴記述です

スイッチングロスは最大20%減少しました

超低通過状態損失です

ピーク電流が10%減少します

Tj(max) = 175°Cです

低EMIの軟電流オフ波形です

より高い遮断電圧VBR (min) = 1350です。

強みと応用分野です

IHW20N135R5には次のような利点があります。

スイッチング周波数が高くなります

電力損失を減らします

熱管理により信頼性が向上します