深圳市明佳達電子有限会社 (供給) トランジスタ IGT60R070D1ATMA4 および IGO60R070D1AUMA1 CoolGaN™ 窒化ガリウム HEMT説明インフィニオンのCoolGaN™窒化ガリウムHEMTは、超高効率、信頼性、電力密度、およびシリコンに対する非常に高い質量など、多くの利点を提供しま…
深圳市明佳達電子有限会社 (供給) トランジスタ IGT60R070D1ATMA4 および IGO60R070D1AUMA1 CoolGaN™ 窒化ガリウム HEMT
説明
インフィニオンのCoolGaN™窒化ガリウムHEMTは、超高効率、信頼性、電力密度、およびシリコンに対する非常に高い質量など、多くの利点を提供します。CoolGaNトランジスタは、非常に信頼性の高い技術に基づいており、スイッチモード電源で超高効率と電力密度を達成するように設計されています。 これらのデバイスは、p-GaNゲート構造とエンハンスド・モード・ゲート駆動バイアスを備えた従来のシリコンMOSFETと同様の方法で動作します。
インフィニオンのCoolGaNの優れた品質は、ハードおよびソフトの両スイッチング・トポロジーに理想的に適しています。coolGaNは、損失の多い入力ブリッジ整流器の排除を含め、PFCのより単純なハーフブリッジ・トポロジーのチューニングをサポートします。
特性
600Vパワーデバイスの品質係数
ハードおよびソフト・スイッチング・トポロジーに最適
最大3倍の電力密度
最適化されたターンオンおよびターンオフ・モード
革新的なソリューションと大容量を実現する技術
超高効率SMPS
表面実装パッケージにより、GaNスイッチング能力へのフルアクセスを保証
使いやすさを追求したドライバICの多様なポートフォリオ
用途
サーバー
電気通信
ワイヤレス充電
アダプターと充電器
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