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CoolGaN™ 600V パワートランジスタ IGT60R190D1SATMA1 極めて高い効率と信頼性を実現

CoolGaN™ 600V パワートランジスタ IGT60R190D1SATMA1 極めて高い効率と信頼性を実現

ソース:このサイト時間:2024-03-09ブラウズ数:

インフィニオンテクノロジーズのCoolGan™ 600Vエンハンストモード(e-Mode)パワートランジスタは、高速ターンオンおよびターンオフ速度で、よりシンプルなハーフブリッジトポロジーを可能にします。

深圳市明佳達電子有限会社は高効率・高信頼性のCoolGan™ 600Vパワートランジスタ「IGT60R190D1SATMA1」を供給・リサイクルしています。


製品紹介

インフィニオンテクノロジーズのCoolGan™ 600Vエンハンストモード(e-Mode)パワートランジスタは、高速ターンオンおよびターンオフ速度で、よりシンプルなハーフブリッジトポロジーを可能にします。 このトランジスタは、高効率、高電力密度、高い動作周波数能力、および低EMIを提供します。アプリケーションには、電気通信/データ通信/サーバーSMPS、ワイヤレス充電、充電器、およびアダプタが含まれます。


技術データ

シリーズ:CoolGaN™

FETタイプ:Nチャンネル  

技術:GaNFET(窒化ガリウム)  

ドレイン-ソース間電圧(Vdss):600 V  

25℃における連続ドレイン電流(Id):12.5A(Tc)  

異なるIdでのVgs(th) (最大):1,6V @ 960µA  

異なるIdでのVgs(th)(最大): 1,6V @ 960µA  

入力キャパシタンス(Ciss)(最大)(Vds時): 157 pF @ 400 V   

許容損失(最大): 55,5W (Tc)  

動作温度: -55°C ~ 150°C (TJ)  

実装タイプ: 表面実装  

サプライヤーデバイスパッケージ: PG-HSOF-8-3  

パッケージ/ケース: 8-PowerSFN  

基本製品番号: IGT60R190


製品特性

エンハンスメントモードトランジスタ、ノーマルクローズスイッチ

超高速スイッチング速度

逆回復電荷なし

逆導通可能

低ゲート電荷、低出力電荷

優れた転流耐性

システム効率の向上

電力密度の向上

より高い動作周波数をサポート

システムコストの低減

EMIの低減

JEDEC規格(JESD47およびJESD22)に準拠し、産業用アプリケーションに適しています。


同社は、代理店、貿易業者、端末工場などの正規チャネルのソースのみをリサイクルしており、正規チャネルではないソースは受け付けていません。


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