深圳市明佳達電子有限会社供給MOSFET IGLD60R190D1AUMA1_IGLD60R070D1AUMA3 600V CoolGaN™強化パワートランジスタ製品概要1、IGLD60R190D1AUMA1 面実装Nチャンネル 600 V 10A(Tc) 62.5W(Tc) PG-LSON-8-1シリーズ: CoolGaN™ FET タイプ: Nチャンネル FETタイプ：Nチャン…
深圳市明佳達電子有限会社供給MOSFET IGLD60R190D1AUMA1_IGLD60R070D1AUMA3 600V CoolGaN™強化パワートランジスタ
製品概要
1、IGLD60R190D1AUMA1 面実装Nチャンネル 600 V 10A(Tc) 62.5W(Tc) PG-LSON-8-1
シリーズ: CoolGaN™ FET タイプ: Nチャンネル
FETタイプ：Nチャンネル
技術： GaNFET（窒化ガリウム）
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss): 600 V
25°Cでの連続ドレイン電流（Id）： 10A（Tc）
異なるIdでのVgs(th) (最大): 1,6V @ 960µA
異なるIdにおけるVgs(th) (最大): 1,6V @ 960µA
入力キャパシタンス（Ciss）（最大）（Vds時）： 157 pF @ 400 V
許容損失（最大）： 62.5W（Tc）
動作温度： -55°C ~ 150°C (TJ)
実装タイプ： 表面実装
サプライヤーデバイスパッケージ: PG-LSON-8-1
パッケージ/シェル：8ピンLDFN露出ボトムパッド
基本製品番号: IGLD60
2、IGLD60R070D1AUMA3 面実装Nチャンネル 600 V 15A (Tc) 114W (Tc) PG-LSON-8-1
シリーズ CoolGaN™
FET：タイプNチャンネル
技術：GaNFET（窒化ガリウム）
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss): 600 V
25°Cでの連続ドレイン電流（Id）： 15A（Tc）
異なるIdでのVgs(th) (最大): 1,6V @ 2,6mA
Vgs(th)（最大）：各種Idで1,6V @ 2,6mA
入力キャパシタンス (Ciss) (最大): 380 pF @ 400 V
電力損失（最大）：114W（Tc）
動作温度: -55°C ~ 150°C (TJ)
実装タイプ： 表面実装
サプライヤーデバイスパッケージ： PG-LSON-8-1
パッケージ/シェル: 8-LDFN 露出パッド
製品紹介
CoolGaN™600Vエンハンスメントパワートランジスタは、シンプルなハーフブリッジトポロジーで高速スイッチングと最小限のスイッチング損失を実現し、最大限の効率を実現します。
CoolGaN™ 600Vファミリーは、既存の規格をはるかに超える包括的なGaN固有の認可を満たしています。この製品は、データ通信およびサーバー用スイッチング電源、電気通信およびアダプター、充電器、ワイヤレス充電、および最高の効率や電力密度を必要とするその他のアプリケーションを対象としています。
詳細については、陳氏までお気軽にお電話ください：
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