深圳市明佳達電子有限会社は、高速オン/オフスピードと最小のスイッチング損失を持つインフィニオンテクノロジーズディスクリート半導体IGLR60R190D1XUMA1 CoolGaN™ 600Vゲート注入技術（GIT）高電子移動度トランジスタ（HEMT）を供給しています。製品紹介このGaNエンハ…
深圳市明佳達電子有限会社は、高速オン/オフスピードと最小のスイッチング損失を持つインフィニオンテクノロジーズディスクリート半導体IGLR60R190D1XUMA1 CoolGaN™ 600Vゲート注入技術（GIT）高電子移動度トランジスタ（HEMT）を供給しています。
製品紹介
このGaNエンハンスメントモード・パワートランジスタ・ファミリーは、ThinPAK 5x6表面実装パッケージで提供され、ヒートシンクを必要としないコンパクトなデバイスを必要とするアプリケーションに最適です。 インフィニオン・テクノロジーズのCoolGaN™ 600V GIT HEMTは、5mm x 6mm2の小型サイズで、高さが1mmと薄いため、高電力密度の実現に最適です。
特性
エンハンスメントモードトランジスタ、ノーマルクローズスイッチ
小型リードレスSMDパッケージのGaN HEMT
GaNカスタム認証
超高速スイッチング速度
逆回復電荷なし
逆導通可能
低ゲート電荷、低出力電荷
優れた転流耐性
システム効率の向上
電力密度の向上
より高い動作周波数をサポート
システムコストの低減
EMIの低減
産業用アプリケーション向けJEDEC準拠（JESD47およびJESD22
鉛フリー、ハロゲンフリー、RoHS対応
技術データ
製品カテゴリー：MOSFET
テクノロジー：GaN
実装スタイル： SMD/SMT
パッケージ/ケース：TSON-8
トランジスタ極性： Nチャンネル
チャンネル数： 1チャンネル
Vds-ドレイン・ソース降伏電圧： 800 V
Id-連続ドレイン電流： 12.8 A
Rds - オンドレインオン抵抗: 190 mOhms
Vgs -ゲート-ソース間電圧: - 10 V, + 10 V
Vgs th-ゲート・ソース間スレッショルド電圧：900 mV
Qg-ゲート電荷: 3.2 nC
最低動作温度： - 40
最大動作温度：+ 150
Pd-電力損失：55.5 W
チャネルモード：エンハンスメント
商標： CoolGaN
シリーズ： CoolGaN 600V
構成: Single
立ち下がり時間: 14 ns
立ち上がり時間: 12 ns
標準オフ遅延時間： 13 ns
典型的なターンオン遅延時間：16 ns
会社ホームページ：www.hkmjd.com
連絡先電話：86-755-83294757
企業QQ：1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
サービス時間：9:00-18:00
連絡先メールボックス：sales@hkmjd.com
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