AOS、高電力アプリケーション向けのエネルギー効率最適化に特化した次世代（Gen3）1200V aSiC MOSFETを発表

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AOS、高電力アプリケーション向けのエネルギー効率最適化に特化した次世代（Gen3）1200V aSiC MOSFETを発表

ソース:このサイト時間:2025-05-08ブラウズ数:

5月8日、設計研究開発、生産、グローバル販売を一体化した有名なパワー半導体およびチップソリューションサプライヤーAlpha and Omega Semiconductor Limited（AOS、ナスダックコード：AOSL）は、発展する産業用電源アプリケーション市場により高いエネルギー効率ソリュー…

5月8日、設計研究開発、生産、グローバル販売を一体化した有名なパワー半導体およびチップソリューションサプライヤーAlpha and Omega Semiconductor Limited（AOS、ナスダックコード：AOSL）は、発展する産業用電源アプリケーション市場により高いエネルギー効率ソリューションを提供することを目的として、次世代（Gen3）1200V aSiC MOSFETシリーズを発表した。このシリーズは、AOS前世代の製品と比較して、高負荷条件下で低い導通損失を維持しつつ、スイッチング品質係数(FOM)を最大30%向上させることができます。新製品は性能を強化しつつ、卓越した信頼性を確保した。Gen3 MOSFETはAEC-Q101車規格認証を取得しているだけでなく、より長寿命と高湿高電圧逆バイアス（HV-H3TRB）耐性を備えています。

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電気自動車(EV)、人工知能データセンター、再生可能エネルギーシステムの電力需要の急増に伴い、電力変換段階のエネルギー効率の損失は電力供給と放熱システムの負担を大幅に増大させることになる。電気自動車の応用分野では、AOSの第3世代α SiC MOSFETはエンジニアがより高い電力密度とエネルギー効率のシステムアーキテクチャを構築するのを支援し、バッテリーのエネルギー消費量を効果的に削減し、航続距離を延長する。800Vまたは±400Vの高圧直流アーキテクチャを採用した次世代AIデータセンターの場合、この製品シリーズは損失を削減し、電力密度を向上させることで、増加し続ける電力需要に対応できます。AOS第3世代1200Vデバイスは、これらの高システム電圧の新しいトポロジーアーキテクチャを支える重要な要素となり、業界に欠かせない効率的なソリューションを提供します。

AOSの新しい第3世代1200V MOSFETは、TO27-4Lパッケージで、15mOhm（AOM015V120X3Q）から40mOhm（AOM040V120X3Q）のオン抵抗（Rds(on)）のオプションが用意されています。同社はまた、表面パッチパッケージ、トップ放熱パッケージ、モジュールパッケージを採用した同シリーズ製品を次々と発売する計画だ。大出力電気自動車牽引インバータモジュールの応用について、AOSは第3世代1200V/11ミリオーム大型ウェーハの認証作業を完了し、現在ウェーハの販売を開放している。

「電気自動車とAI技術は産業構造を再構築していますが、これは電力システムにより高い要求を課しています。エネルギー需要が急増しても効率的な運転を維持しなければなりません。」とAOSワイドバンドギャップ半導体製品副社長のDavid Sheridan氏は、「次世代α SiC MOSFETが顧客の性能ニーズを満たすと同時に、環境保護に積極的に貢献できることを喜んでいます。」

技術的なハイライト：

自動車等級AEC-Q101に准拠しています

広いゲート駆動電圧互換性（+15Vへ+18V）

スイッチング周波数を最大30%向上させる

拡張HV-H3TRB規格に準拠

強化されたUISおよび短絡保護機能

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