ADI LTC4449IDCB高速同期NチャンネルMOSFETドライバ

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ADI LTC4449IDCB高速同期NチャンネルMOSFETドライバ

ソース:このサイト時間:2025-04-28ブラウズ数:

ADI LTC4449IDCB高速同期NチャンネルMOSFETドライバ深セン明嘉達電子有限公司は、電子部品の分野で豊富な経験と良い評判を持つ会社として。ADI LTC4449IDCB高速同期NチャンネルMOSFETドライバの長期供給、電力変換分野での高性能、高信頼性ソリューションをもたらすために…

ADI LTC4449IDCB高速同期NチャンネルMOSFETドライバ

深セン明嘉達電子有限公司は、電子部品の分野で豊富な経験と良い評判を持つ会社として。ADI LTC4449IDCB高速同期NチャンネルMOSFETドライバの長期供給、電力変換分野での高性能、高信頼性ソリューションをもたらすために。

LTC4449IDCBの製品概要

LTC4449IDCBは、同期DC/DCコンバータで2つのNチャネルMOSFETを駆動するために設計された高周波ゲートドライバです。強力なレール・ツー・レール・ドライバ機能により、ゲート容量の大きいMOSFETのスイッチング損失を低減します。

LTC4449IDCBは、コントローラICの信号スイングに合わせるため、入力ロジック用に独立した電源を備えています。入力信号が駆動されていない場合、LTC4449IDCBはシャットダウンモードを起動し、両方の外付けMOSFETをオフにします。入力ロジック信号は内部でブートストラップ電源にレベルシフトされ、グラウンドより最大42V高い電圧で機能します。

LTC4449IDCBは、ドライバとロジックの両電源に低電圧ロックアウト回路を内蔵しており、低電圧状態が発生すると外付けMOSFETをオフにします。適応型シュートスルー保護機能も内蔵しており、MOSFETの相互導通電流による電力損失を防ぎます。

LTC4449IDCBは、2mm×3mmのDFNパッケージで提供されます。

LTC4449IDCBの仕様

製品 MOSFETゲートドライバ

タイプハイサイド、ローサイド

実装スタイル SMD/SMT

パッケージ/ケース DFN-8

ドライバー数： 2ドライバー

出力数： 2出力

出力電流： 4.5 A

電源電圧 - Min： 4 V

電源電圧 - 最大： 6.5 V

立ち上がり時間： 8 ns

立ち下がり時間： 7 ns

最低動作温度： - 40

最大動作温度 + 125 ℃

入力電圧 - 最大： 38 V

動作電源電流： 730 uA

LTC4449IDCBの特長

4V～6.5V VCC動作電圧

最大入力電源電圧38V

適応型シュートスルー保護

レールツーレール出力ドライバ

3.2Aピークプルアップ電流

4.5Aピークプルダウン電流

8ns TG立ち上がり時間（3000pF負荷駆動時

7ns TG立下り時間 3000pF負荷駆動

PWMコントローラに適合する別電源

デュアルNチャンネルMOSFET駆動

低電圧ロックアウト

薄型（0.75mm）2mm×3mm DFNパッケージ

LTC4449IDCBのアプリケーション

LTC4449IDCBの優れた性能により、幅広いアプリケーションで使用できます。高効率の降圧または昇圧DC/DCコンバータでは、LTC4449IDCBは強力なゲート駆動能力と低いスイッチング損失により電力変換効率を大幅に向上させ、機器に安定した信頼性の高い電源を供給することができます。車載用電子機器の分野では、複雑な電気環境や電源の安定性に対する高い要求に対して、LTC4449IDCBの高耐圧、高駆動能力、保護機能により、車載用電子システムの正常な動作を保証することができます。産業オートメーション機器では、LTC4449IDCBの高速応答と高信頼性は、電源の高速スイッチングと安定した出力のニーズを満たすことができ、機器の効率と安定性を向上させます。

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