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ギガデバイスは本日、高速QSPI NANDフラッシュGD5F1GM9シリーズの発売を発表しました。GD5F1GM9シリーズは、画期的な読み出し速度と革新的な不良ブロック管理（BBM）機能により、従来のSPI NANDフラッシュが抱えていた応答速度の遅さや不良ブロックの干渉を受けやすいという業界の課題を効果的に解決することができます。 GD5F1GM9シリーズの導入は、NORフラッシュの高速読み出し速度とNANDフラッシュの大容量・低コストという利点を巧みに組み合わせた新しいタイプのソリューションとして、SPI NANDフラッシュに新たな発展の機会をもたらし、セキュリティ、産業、IoT、その他の高速スタートアップのアプリケーションシナリオにとって理想的な選択肢となるでしょう。

GD5F1GM9シリーズ高速QSPI NANDフラッシュは24nmプロセスノードを採用し、内蔵8bit ECC、3Vと1.8Vの2つの動作電圧、連続読み出し、キャッシュ読み出し、次ページ自動読み出しなどの様々な高速読み出しモードをサポートし、ユーザーに様々な組み合わせ設計ソリューションを提供します。 従来のSPI NANDフラッシュと比べ、GD5F1GM9シリーズは、ECC設計における独自のシリアル計算方法をやめ、複雑なECCアルゴリズムの並列計算を実現し、内蔵ECCの計算時間を大幅に短縮します。 このシリーズの3V製品の最大クロック周波数は166MHzで、連続読み出しモードでの連続読み出し速度は83MB/秒である。1.8V製品の最大クロック周波数は133MHzで、連続読み出しモードでの連続読み出し速度は66MB/秒である。 この設計上の優位性は、デバイスのデータアクセス効率を効果的に向上させ、システムの起動時間を大幅に短縮し、システムの消費電力をさらに削減する。

従来のNANDフラッシュの不良ブロック問題を解決するため、GD5F1GM9シリーズは先進の不良ブロック管理（BBM）機能を導入しています。 この機能により、ユーザーは物理ブロックアドレスと論理ブロックアドレスのマッピング関係を変更することで、工場出荷時の不良ブロックや使用中に追加される新しい不良ブロックの課題に効果的に対処することができます。 一方、従来のNANDフラッシュは、工場出荷時に不良ブロックがランダムに分散している場合があり、これらの不良ブロックがフロントコード領域に現れると、NANDフラッシュは正常に使用できなくなります。 しかし、GD5F1GM9シリーズでは、BBM（Bad Block Management）機能により、最初の256ブロックがすべて工場出荷時の良品ブロックであることを保証し、コード領域の安定性を保証しています。 一方、NANDフラッシュを使用する過程で、新たな不良ブロックが出現する可能性があり、従来のソリューションでは、異なるパーティションの不良ブロックを交換するために多数の冗長ブロックを確保する必要があり、深刻なリソースの浪費を招きますが、GD5F1GM9シリーズのBBM機能では、論理アドレスと物理アドレスを再マップして、破損した不良ブロックアドレスを再び使用できるようにすることができ、最小限の冗長ブロックを確保するだけで済みます。 この機能は、リソースの利用率を大幅に向上させるだけでなく、システム設計を効果的に簡素化します。

「現在、SPI NANDフラッシュの読み取り速度は一般的に遅く、最終製品の性能向上を制限する重要なボトルネックとなっています。 高速QSPI NANDフラッシュGD5F1GM9シリーズは、従来のSPI NANDフラッシュの読み出し速度の欠点を効果的に補うだけでなく、不良ブロックを管理するための新しいソリューションを提供し、容量拡張が求められるNORフラッシュユーザーにとって理想的な代替品となることができます。 将来的には、メガイノベーションは、より効率的で信頼性の高いストレージ・ソリューションを顧客に提供するために、基礎となる技術にも磨きをかけ続けます。」

現在、MegaTek GD5F1GM9シリーズは、容量1Gb、3V/1.8V電圧オプションで入手可能で、WSON8 8x6mm、WSON8 6x5mm、BGA24（5x5ボールアレイ）5x5ボールパッケージオプションをサポートしている。