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Infineon IPD50P04P4L-11 PチャンネルOptiMOS™-P2車載用MOSFETトランジスタ

Infineon IPD50P04P4L-11 PチャンネルOptiMOS™-P2車載用MOSFETトランジスタ

ソース:このサイト時間:2025-04-18ブラウズ数:

Infineon IPD50P04P4L-11 PチャンネルOptiMOS™-P2車載用MOSFETトランジスタShenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.は、世界的に有名な電子部品ディストリビュータとして、インフィニオンのIPD50P04P4L-11 PチャンネルOptiMOS™-P2車載用MOSFETトランジスタを専門に供…

Infineon IPD50P04P4L-11 PチャンネルOptiMOS™-P2車載用MOSFETトランジスタ


Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.は、世界的に有名な電子部品ディストリビュータとして、インフィニオンのIPD50P04P4L-11 PチャンネルOptiMOS™-P2車載用MOSFETトランジスタを専門に供給しています。車載エレクトロニクス・アプリケーション向けに設計されたこの高性能MOSFETは、高効率、低損失、高信頼性を特長とし、電気自動車の電源管理、バッテリ管理システム(BMS)、車載充電器などのアプリケーションに最適です。


IPD50P04P4L-11の製品概要

IPD50P04P4L-11は、インフィニオンのOptiMOS™-P2ファミリに属するPチャネル・パワーMOSFETで、高度なトレンチ技術を用いて製造され、以下のコア機能を備えています:


電圧および電流パラメータ 40V耐圧、50A連続ドレイン電流

パッケージ 高密度PCB設計に適したPG-TO252-3(DPAK)パッケージ

オン抵抗: 非常に低いRDS(on)特性により、オン状態の損失を大幅に低減。

スイッチング性能: ゲート電荷量(Qg)と出力容量(Coss)を最適化し、高効率スイッチングを実現

温度範囲 車載グレード・アプリケーション向けの広い動作温度範囲


IPD50P04P4L-11の特長

1. 優れた電気的性能

IPD50P04P4L-11は、インフィニオンの先進的なOptiMOS™-P2技術を採用しており、以下の特長があります:

低オン抵抗(RDS(on))による電力損失の低減

高いスイッチング周波数能力によるシステム効率の向上

最適化されたボディ・ダイオード特性による逆回復性能の向上

熱性能の向上による電力密度の向上


2. 車載グレードの信頼性

車載グレードのMOSFETとして、IPD50P04P4L-11は厳しい車載エレクトロニクス規格に適合しています:

過酷な環境下での信頼性を保証するAEC-Q101認証

優れた耐振動性と耐衝撃性

エンジン・コンパートメントやその他の高温環境に対応する高温性能

車載製品のライフサイクル要件を満たす長期供給保証


3. 幅広い用途に対応

IPD50P04P4L-11は、様々な車載電子システムに適しています:

電気自動車/ハイブリッド車:車載充電器(OBC)、DC-DCコンバータ、バッテリ管理システム(BMS)。

従来の自動車用電子機器:電動パワーステアリング(EPS)、燃料噴射システム、ウォーターポンプ/燃料ポンプ制御

ボディ・エレクトロニクス:インテリジェント・ドアロック、シート調整、ウィンドウ・コントロール

インフォテインメント・システム:パワー・マネージメント、オーディオ・アンプ


IPD50P04P4L-11の技術パラメータ

トランジスタ極性:Pチャンネル

チャネル数:1チャネル

Vds - ドレイン-ソース降伏電圧:40 V

Id - 連続ドレイン電流:50 A

Rds On - ドレイン-ソース間抵抗:17.2 mOhms

Vgs - ゲート-ソース間電圧:- 16 V, + 5 V

Vgs th - ゲート・ソース・スレッショルド電圧:1.2 V

Qg - ゲート電荷:45 nC

最低動作温度:- 55

最大動作温度:+ 175 C

Pd - 許容損失:58 W

立ち下がり時間:39 ns

高さ:2.3 mm

長さ:6.5 mm

製品タイプ:MOSFET

立ち上がり時間:9 ns

典型的なターンオフ遅延時間:46 ns

典型的なターンオン遅延時間:12 ns

幅:6.22 mm

単位重量:330 mg


IPD50P04P4L-11のアプリケーション・ソリューション

1. 車載電源管理システム

IPD50P04P4L-11の車載パワーマネージメントシステムにおける代表的なアプリケーションは以下の通りです:


負荷スイッチング:大電流負荷のオン/オフ制御

逆極性保護:バッテリの逆接続による回路の損傷を防止

電源経路管理: 複数の電源システムにおけるシームレスなスイッチング

プリチャージ回路:コンデンサ充電電流を制限し、コンタクタを保護します。


2. モータドライブアプリケーション

IPD50P04P4L-11は、大電流対応と低オン抵抗により、以下の用途に最適です:


小型DCモータ・ドライブ

ステッピングモータ制御

ファン/ポンプ・モータ・ドライブ

パワーシート/ウィンドウ・ドライブ


3. Hブリッジ・トポロジー

双方向制御が必要なHブリッジ回路では、IPD50P04P4L-11をNチャネルMOSFETと組み合わせて使用することで実現できます:


DCモータの正転/逆転制御

電磁弁駆動

双方向電流を必要とするその他のアプリケーション


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