ntbgs001n06c、パワーmosfetは60 v 1.1 m、オメガ、342 a、single n−チャンネル、d2pak7紹介しますNTBGS001N06Cは、小型かつコンパクトに設計されたMOSFETで、低RDS(on)と低容量を実現しています。低RDS(on)値はオン損失を最小限に抑え、低キャパシタはドライブ損失を最…
ntbgs001n06c、パワーmosfetは60 v 1.1 m、オメガ、342 a、single n−チャンネル、d2pak7
紹介します
NTBGS001N06Cは、小型かつコンパクトに設計されたMOSFETで、低RDS(on)と低容量を実現しています。低RDS(on)値はオン損失を最小限に抑え、低キャパシタはドライブ損失を最小限に抑えます。
NTBGS001N06Cは以下の主なパラメータを持っています:
FETタイプ:Nチャネルです
技術:MOSFET(金属酸化物)です
ドレインソース電圧(Vdss): 60 Vです
25°C時電流-連続ドレイン(Id): 42A (Ta), 342A (Tc)
駆動電圧(最大Rds On、最小Rds On): 10V、12Vです。
異なるId、Vgs時オン抵抗(最大値):1.1ミリオ@ 112A, 12Vです。
Idが異なる場合Vgs(th)(最大値):4V @ 562µAです。
異なるVgs時ゲート電荷(Qg)(最大値):139 nC @ 10 Vです。
Vgs(最大値):±20Vです
異なるVds時入力容量(Ciss)(最大値):11110 pF @ 30 Vです。
FET機能:-です
消費電力分散(最大値):3.7W (Ta), 245W (Tc)です。
動作温度:-55℃~ 175℃(TJ)です。
装着タイプ:表面装着タイプです。
デバイスパッケージ:to-263 (D2PAK)です。
これらのパラメータにより、NTBGS001N06Cは高電流と高効率を必要とする回路設計に適しており、特に電力変換やモータ制御などの用途に優れています。
NTBGS001N06Cには以下の特徴があります。
・低RDS (on)でオン損失を最小限に抑えます。
・低QGとキャパシタでドライブロスを最小限に抑えます
・スイッチングノイズ/EMIを低減します。
•無鉛、無ハロゲン/無臭化難燃剤(BFR)、かつRoHS規格準拠です。
応用シーンです
NTBGS001N06Cは、高電流と高耐圧を必要とするアプリケーションシーンに適しています。
・電動工具、バッテリー式掃除機です
・ドローン/ドローン、物質運搬です
・BMS/ストレージ、ホームオートメーションです
【NTBGS001N06C】サンプルや購入の引合いについては、hp www.hkmjd.comより明佳達電子までご連絡いただけます。
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