HMC322ALP4E——GaAs MMIC SP8T非反射スイッチ,dc-8 GHzです中心的な特徴は以下の通りです。広帯域性能:dc-8.0 GHzです。>30 dB@ 6 GHzです低挿入損失:2.4 dB@ 6 GHzです3:8 TTLデコーダです24ピン4 4mm QFNパッケージ:9 mmですこれらの特性により、特別に適用される…
HMC322ALP4E——GaAs MMIC SP8T非反射スイッチ,dc-8 GHzです
中心的な特徴は以下の通りです。
広帯域性能:dc-8.0 GHzです。
>30 dB@ 6 GHzです
低挿入損失:2.4 dB@ 6 GHzです
3:8 TTLデコーダです
24ピン4 × 4mm QFNパッケージ:9 mm²です
これらの特性により、特別に適用される各種の高周波hmc322alp4eと地上応用。
紹介します
HMC322ALP4Eは,低コストのピンレス・パッケージを採用した広帯域非反射GaAs MESFET SP8Tスイッチです。HMC322ALP4Eのスイッチング周波数範囲はDCから8 GHzで、高い分離と低い挿入損失を持っています。また、HMC322ALP4Eにはオンチップバイナリ復号回路が組み込まれており、必要な論理制御線を3本に減らしています。
HMC322ALP4Eは0/-5V負制御電圧で働作し、必要な固定バイアスは-5Vです。
応用シーンです
HMC322ALP4E dc-8.0 GHz 50オームまたは75オームのシステムに適用します:
ブロードバンド
光ファイバー製品です
スイッチング・フィルタ・バンクです
8 GHz以下の無線アプリケーションです
また、HMC322ALP4Eは、以下の仕様を備えています。
トポロジーです
回路:SP8Tです
周波数範囲:0Hz ~ 8GHzです。
分離:40dBです
割り込み:2.5dBです
テスト周波数は6GHz, 8GHzです
P1dB: 26dBmです
IIP3: 40dBmです
特性:-です
インピーダンスは50オームです
電圧-給電します:-
働作温度:-40℃~ 85℃です。
装着タイプ:表面装着タイプです。
パッケージ:24-QFN (4 × 4)です。
連絡してきます
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