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MOSFET IPT012N08N5ATMA1 IPT012N08N5 Nチャネル 80V 300A トランジスタ

MOSFET IPT012N08N5ATMA1 IPT012N08N5 Nチャネル 80V 300A トランジスタ

ソース:このサイト時間:2022-08-03ブラウズ数:

供給 MOSFET IPT012N08N5ATMA1 IPT012N08N5 N チャネル 80V 300A トランジスタ、明佳達はオリジナル、工場在庫、新しい在庫、価格優位性のみを製造します。メーカー: インフィニオン テクノロジーズ製品モデル: IPT012N08N5 IPT012N08N5ATMA1説明: MOSFET N-CH 80V 300A …

供給 MOSFET IPT012N08N5ATMA1 IPT012N08N5 N チャネル 80V 300A トランジスタ、明佳達はオリジナル、工場在庫、新しい在庫、価格優位性のみを製造します。


メーカー: インフィニオン テクノロジーズ

製品モデル: IPT012N08N5 IPT012N08N5ATMA1

説明: MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF

説明: 面実装 Nチャンネル 80 V 300A (Tc) 375W (Tc) PG-HSOF-8-1


仕様

FET型Nチャンネル

テクノロジー MOSFET (金属酸化物)

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) 80 V

25°C での電流 - 連続ドレイン (Id) 300A (Tc)

駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) 6V、10V

さまざまな Id、Vgs でのオン抵抗 (最大) 1.2 ミリオーム @ 150A、10V

異なる Id での Vgs(th) (最大) 3.8V @ 280µA

さまざまな Vgs でのゲート電荷 (Qg) (最大) 223 nC @ 10 V

Vgs (最大) ±20V

Vds での入力容量 (Ciss) (最大) 17000 pF @ 40 V

FET機能 -

消費電力 (最大) 375W (Tc)

動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)

取り付けタイプ 表面実装

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