隔離hmc349alp4ceは高度の非反射式の100 mhz ~ 4 ghz gaas spdtスイッチ、適用無線インフラを応用し、例えば携帯ラジオとテスト装備。製品紹介ですHMC349ALP4CEは、動作周波数範囲が100 MHz ~ 4 GHzのガリウム砒素(GaAs)単刃双玉(SPDT)スイッチです。高分離(62 dB)、…
隔離hmc349alp4ceは高度の非反射式の100 mhz ~ 4 ghz gaas spdtスイッチ、適用無線インフラを応用し、例えば携帯ラジオとテスト装備。
製品紹介です
HMC349ALP4CEは、動作周波数範囲が100 MHz ~ 4 GHzのガリウム砒素(GaAs)単刃双玉(SPDT)スイッチです。高分離(62 dB)、低挿入損失(1.0 dB)、高入力IP3 (53 dBm)、高入力P1dB (34 dBm)などの特性を備えているため、無線インフラストラクチャアプリケーションに適しています。
HMC349ALP4CEは3 V ~ 5 Vの単一の電源で動作し、CMOS/TTL対応の制御インタフェースを備えています。また,HMC349ALP4CEはRoHS指令に準拠した16ピン4 mm × 4 mmワイヤ・フレームのチップサイズレベルパッケージ(LFCSP)を採用しています。
HMC349ALP4CEの主な特徴は以下の通りです。
非反射50オメガデザイン
高分離:2 GHzで62 dBです
低挿入損失:2 GHzで1.0 dBです
高入力線形性です
1dB圧縮電力(P1dB): 34 dBm(通常値)です。
3次交換点(IP3): 53 dBm(通常値)です。
高出力処理能力です
33.5 dBmスルーパス,VDD = 5 Vです
26.5 dBm終了パスです
単一の正電源:3 Vから5 Vです。
CMOS/TTL対応制御です
全閉状態制御です
16ピン4 mm × 4 mm LFCSPです
ピンはHMC8038互換です
これらの特性により、hmc349alp4ce適用無線インフラを応用し、例えば携帯ラジオとテスト装備。
応用分野です
hmc349alp4ce適用無線インフラや移動無線設備テストなどを応用して、その高い隔離度と低い挿入損失の特性上、特別に高性能スイッチのシーンが必要になる。
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