モデル：IPS65R1K4C6ブランド：Infineonロット番号：21+パッケージ：TO-251型商品概要カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ - FET、MOSFET - シングルメーカーInfineon TechnologiesシリーズCoolMOS™パッケージチューブ部品状況購入可能最終日ありFETタイプNチ…
モデル：IPS65R1K4C6
ブランド：Infineon
ロット番号：21+
パッケージ：TO-251
型 | 商品概要 |
|---|---|
カテゴリ | ディスクリート半導体製品 トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー | Infineon Technologies |
シリーズ | CoolMOS™ |
パッケージ | チューブ |
部品状況 | 購入可能最終日あり |
FETタイプ | Nチャンネル |
技術 | MOSFET（金属酸化物） |
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） | 650 V |
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） | 3.2A（Tc） |
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V |
Id、Vgs印加時のRds On（最大） | 1.4オーム @ 1A、10V |
Id印加時のVgs（th）（最大） | 3.5V @ 100µA |
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） | 10.5 nC @ 10 V |
Vgs（最大） | ±20V |
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） | 225 pF @ 100 V |
FET機能 | - |
電力散逸（最大） | 28W（Tc） |
動作温度 | -55°C～150°C（TJ） |
取り付けタイプ | スルーホール |
サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO251-3-11 |
パッケージ/ケース | TO-251-3スタブリード、IPak |
ベース品番 | IPS65R1 |
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