報道によると、三星(サムスン)電子は25日朝、韓国京畿道華城工場で3nmチップの出荷式を行い、工場幹部を含む約100人が参加した。
報道によると、三星(サムスン)電子は25日朝、韓国京畿道華城工場で3nmチップの出荷式を行い、工場幹部を含む約100人が参加した。
報告書によると、DS部門の責任者はスピーチで、「サムスン電子はこの大量生産でファウンドリビジネスで成功を収めました。GAA技術の初期開発の成功は、FinFETトランジスタが技術的限界。ゼロからの製品革新の結果。」
サムスン電子の3nmチップはGAAトランジスタ構造を採用していると報告されています。3nmチップは5nmチップと比較して、消費電力を最大45%削減し、パフォーマンスを23%向上させ、サイズを16%削減できます。
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