(Infineon) IRS2008MTRPBF 200 VハーフブリッジゲートドライバIC、オフおよびVCC&VBS UVLO機能を備えます。

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(Infineon) IRS2008MTRPBF 200 VハーフブリッジゲートドライバIC、オフおよびVCC&VBS UVLO機能を備えます。

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深セン市明佳達電子有限公司(販売、回収)(Infineon) IRS2008MTRPBF 200 VハーフブリッジのゲートドライブIC、VCC&VBS UVLO機能と関連があります。概説しますIRS2008MTRPBFは200 VセミブリッジゲートドライバICで、mlpq4 x 4 14Lパッケージを採用し、電源オフ、典型的…

深セン市明佳達電子有限公司(販売、回収)(Infineon) IRS2008MTRPBF 200 VハーフブリッジのゲートドライブIC、VCC&VBS UVLO機能と関連があります。

概説します

IRS2008MTRPBFは200 VセミブリッジゲートドライバICで、mlpq4 x 4 14Lパッケージを採用し、電源オフ、典型的なソース電流0.29 A、灌漑電流0.6 Aを備え、MOSFETに適しています。

IRS2008は、独立した高電圧と高速出力のMOSFETとIGBTドライバです。独自のHVICとラッチ免疫CMOS技術により補強型モノリシック構造を実現しました。論理入力は3.3 V論理より低い標準CMOSまたはLSTTL出力と互換性があります。出力ドライバは高パルス電流バッファ段を備え、最小ドライバのクロス伝導用に設計されています。動作電圧が200 Vまでのハイエンド構成では、フローティングチャネルは、NチャネルパワーMOSFETまたはIGBTを駆動するために使用できます。伝搬遅延のマッチングは高週波アプリケーションでのHVICの使用を簡単にすることができます。

特徴です

・ゲート駆動電源はチャネルあたり最大20 Vです

・VCC、VBSのダウンロックです

・3.3 V、5 V、15 V入力ロジック対応です

・負の過渡電圧に強いです

ブートストラップパワー用に設計しました

・クロス伝導予防ロジックです

・2つのチャネルの一致伝搬遅延です

・デッドゾーンを内部に設定します

・ハイエンド出力と入力は同相です

・入力を2つオフにします

・働作温度範囲:-40°Cから125°Cです。