概要：トレンチMOSFET技術を使用したリードレス超小型DFN1006-3（SOT883）表面実装デバイス（SMD）プラスチックパッケージのNチャネルエンハンスメントモード電界効果トランジスタ（FET）。モデル番号： PMZ290UNE2年: 21+FETタイプ Nチャンネル 技術 MOSFET（金属酸化物…
概要：トレンチMOSFET技術を使用したリードレス超小型DFN1006-3（SOT883）表面実装デバイス（SMD）プラスチックパッケージのNチャネルエンハンスメントモード電界効果トランジスタ（FET）。
モデル番号： PMZ290UNE2
年: 21+
FETタイプ Nチャンネル
技術 MOSFET（金属酸化物）
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)： 20 V
25°Cでの電流 - 連続ドレイン (Id) ： 1.2A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：1.5V、4.5V 1.5V、4.5V
異なるId、Vgsでのオン抵抗（最大）：320 mOhm @ 1.2A (Ta) 320mΩ@1.2A、4.5V
異なるIdでのVgs（th）（最大）： 950mV @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) at Vgs： 1.4 nC @ 4.5 V
Vgs（最大）： ±8V
入力キャパシタンス (Ciss) (最大)： 46 pF @ 10 V
許容損失（最大）： 350mW（Ta）、5.43W（Tc）
動作温度： -55°C ~ 150°C (TJ)
実装タイプ 表面実装
サプライヤー・デバイス・パッケージ SOT-883
パッケージ/ハウジング SC-101、SOT-883
特長と利点
- トレンチMOSFET技術
- 低しきい値電圧
- 超高速スイッチング
- 静電気放電（ESD）保護：2 kV HBM
- リードレス超小型SMDプラスチックパッケージ：1.0 x 0.6 x 0.48 mm
用途
- リレードライバー
- 高速ラインドライバ
- ローサイドロードスイッチ
- スイッチング回路
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