1、説明しますQPC3025は、4G/5G無線インフラストラクチャアプリケーションやその他の高性能通信システム用に設計された絶縁体上シリコン(SOI)単単双投(SPDT)スイッチです。対称トポロジーを採用し、低挿入損失と優れた線形性を有しています。このスイッチは、50オームの負…
1、説明します
QPC3025は、4G/5G無線インフラストラクチャアプリケーションやその他の高性能通信システム用に設計された絶縁体上シリコン(SOI)単単双投(SPDT)スイッチです。対称トポロジーを採用し、低挿入損失と優れた線形性を有しています。このスイッチは、50オームの負荷で、最大20 W CWおよび30 Wパルス電力を処理することができます。RFポートにはクロス容量は必要ありません。スイッチポートは反射性があります。QPC3025は+1.8 Vの互換性があり、負電圧発生器を無効にし、必要に応じてチップの外から負電圧を供給するワンピンソリューションを備えています。
QPC3025はRoHS規格に準拠したコンパクトサイズの5 × 5 mm面マウントワイードレスパッケージを採用しています。
2、応用です
・無線インフラです
・マクロステーションまたはピコセル基地局です
・中継器です
3、キーパフォーマンスです
動作周波数は30 MHzから4200 MHzです
二重投げです
0.35 dB挿入損失です
30Wパルス出力処理能力です
高遮蔽度:40 dB (2 GHz)です
VCTRLラインの1.8 V論理互換です
ESD HBMレベル2です
2.7-5.0 V電源対応です
コンパクトサイズ:5.0 X 5.0 mmです。
深セン市明佳達電子有限会社の供給と回収Qorvo QPC3025 30 MHzから4.2 GHzの高電力反射式単刀双投スイッチです。
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