深圳市明佳達電子有限会社STMicroelectronics STL33N60DM2 NチャンネルFDmesh II Plus™パワーMOSFET、新品＆オリジナル、品質保証！モデル番号: STL33N60DM2シリーズ: MDmesh™ DM2 製品状態: On Sale FETタイプ: Nチャンネル 技術: MOSFET (酸化金属) ドレイン-ソー…
深圳市明佳達電子有限会社STMicroelectronics STL33N60DM2 NチャンネルFDmesh II Plus™パワーMOSFET、新品＆オリジナル、品質保証！
モデル番号: STL33N60DM2
シリーズ: MDmesh™ DM2
製品状態: On Sale
FETタイプ: Nチャンネル
技術: MOSFET (酸化金属)
ドレイン-ソース間電圧（Vdss）：600 V
25°Cでの連続ドレイン電流（Id）： 21A（Tc）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）： 10V
異なるId、Vgsにおけるオン抵抗（最大）： 140 mOhm @ 10.5A、10V
異なるIdにおけるVgs（th）（最大）： 5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）＠Vgs：43nC＠10V
Vgs（最大）：±25V
入力キャパシタンス（Ciss）（最大）： 1870 pF @ 100 V
許容損失（最大）： 150W（Tc）
動作温度： -55°C ~ 150°C (TJ)
実装タイプ： 表面実装
サプライヤーデバイスパッケージ： PowerFlat™ (8x8) HV
パッケージ/ケース: 8-PowerVDFN
製品紹介
STのMDmesh DM2シリーズは、STの高速リカバリ・ダイオード、600VパワーMOSFETの最新ファミリーで、特にZVSフェーズ・シフト・ブリッジ・トポロジーに適しています。 これらのダイオードは、回復電荷と回復時間（Qrr、trr）が非常に小さく、RDS(on)が20%低くなっています（前世代と比較）。 高いdV/dt強度（40V/ns）により、システムの信頼性が向上します。
特徴
低ゲートチャージと低入力容量
低RDS(on)×低面積(前世代比)
低ゲート入力抵抗
スイッチング・アプリケーション向けに設計
100%アバランシェ試験済み
ツェナー保護
高いdv/dtとアバランシェ能力
詳細については、陳までお電話でお問い合わせください：
電話：+86 13410018555
電子メール：sales@hkmjd.com
ウェブサイト：www.hkmjd.com
連絡先電話：86-755-83294757
企業QQ：1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
サービス時間：9:00-18:00
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