深圳市明佳達電子有限公司(供給)(回収)MASTERGAN4 (ST)は、高出力密度6.5Aセミブリッジドライバーの強化型GaN HEMTを2基採用しています。概観です:MasterGaN4は、1つのゲートドライブと2つの強化されたGaNパワートランジスタをハーフブリッジ構成で統合した先進的なパワー…
深圳市明佳達電子有限公司(供給)(回収)MASTERGAN4 (ST)は、高出力密度6.5Aセミブリッジドライバーの強化型GaN HEMTを2基採用しています。
概観です:
MasterGaN4は、1つのゲートドライブと2つの強化されたGaNパワートランジスタをハーフブリッジ構成で統合した先進的なパワーシステムレベルのパッケージです。电源ganを持つ650 v漏源を遮断する电圧と225 mのオメガrds (on)、組み込みゲートでドライブのハイエンド自ダイオードを軽く送電を通じて集積できる。
MasterGaN4は低い駆働部と高い駆働部の両方にUVLO保護機能があり、電源スイッチが非効率や危険な条件下で働作することを防止できます。
入力ピンの拡張範囲は、マイクロコントローラ、DSPユニット、またはホール効果センサと簡単にインターフェースすることができます。
MasterGaN4は-40°Cから125°Cまでの工業温度帯で動作します。コンパクトサイズの9 × 9 mm QFNパッケージを採用しています。
製品の特徴です。
電源システムレベルのパッケージ、ハーフブリッジゲートドライバ、高電圧GaNトランジスタが組み込まれています。
BVDSS=650Vです
rds (on) = 150 mオメガ
IDS(MAX)=10Aです
逆電流能力です
逆回復ロスゼロです
低側と高側のUVLO保護です
内蔵ブートストラップダイオードです
連動機能です
オフ機能用専用ピンです
正確な内部タイミング一致です
3.3Vから15Vの入力に対応し、ヒステリシスとプルダウン機能を備えています。
過温度保護です
材料リストが減りました
超コンパクトでシンプルなレイアウトです
柔軟でシンプルでスピーディーなデザインです
応用です:
・モード電源を入れます。
・充電器とアダプタです
・高圧PFC、dc-dc、dc-acコンバータです
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