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供給メモリIC S25FL128SAGMFI000 128Mb 3V 133MHzシリアルNORフラッシュメモリ

供給メモリIC S25FL128SAGMFI000 128Mb 3V 133MHzシリアルNORフラッシュメモリ

ソース:このサイト時間:2023-12-12ブラウズ数:

明佳達電子輸入元供給メモリIC S25FL128SAGMFI000 128Mb 3V 133MHzシリアルNORフラッシュメモリ、高い品質保証と競争力のある価格で、お気軽にお問い合わせください!デバイス概要S25FL128SAGMFI000 NORフラッシュ・デバイスは、65nm MIRRORBIT™技術に基づく2.7V~3.6V/…

明佳達電子輸入元供給メモリIC S25FL128SAGMFI000 128Mb 3V 133MHzシリアルNORフラッシュメモリ、高い品質保証と競争力のある価格で、お気軽にお問い合わせください!


デバイス概要

S25FL128SAGMFI000 NORフラッシュ・デバイスは、65nm MIRRORBIT™技術に基づく2.7V~3.6V/1.65V~3.6V VIO電圧の不揮発性メモリです。 128-Mb S25FL128S FL-S NORは、ページ・プログラミング・バッファを備えたEclipseアーキテクチャで設計されており、1回の操作で最大128ワードをプログラムできます。 128-Mb S25FL128S FL-S NORは、ページ・プログラミング・バッファを備えたEclipseアーキテクチャで設計されており、1回の操作で最大128ワード(256バイト)のプログラミングが可能で、前世代のSPIプログラミングや消去アルゴリズムよりも高速にプログラミングや消去を行うことができます。 このデバイスは、SPI(Serial Peripheral Interface)経由でホスト・システムに接続し、従来のSPIユニットのシリアル入出力(Single I/O、SIO)、オプションの2ビット(Dual I/O、DIO)および4ビット(Quad I/O、QIO)のシリアル・コマンドをサポートします。


FL-Sファミリーの一部として、S25FL128S FL-S NORは、SIO、DIO、QIOのダブル・データ・レート(DDR)読み出しコマンドをサポートしています。 FL-SデバイスをQIOまたはDDR-QIOコマンドでサポートされる高クロック・レートで使用することで、従来のパラレル・インターフェイス非同期NORフラッシュと同等またはそれ以上のコマンド読み出し転送速度を実現しながら、信号数を大幅に削減できます。S25FL128S FL-S NORは、高密度性能だけでなく、幅広い組み込みアプリケーションに必要な柔軟性と速度も提供します。


製品の特長

マルチファンクションI/Oを備えた3.0V CMOSコア

マルチ入出力シリアル・ペリフェラル・インターフェース(SPI)

SPIクロック極性および位相モード0および3

ダブル・データ・レート(DDR)オプション

24ビットまたは32ビット拡張アドレッシング・オプション

S25FL-A、S25FL-K、S25FL-P SPIファミリと互換性のあるシリアル・コマンド・セットとフットプリント

S25FL-P SPIシリーズと互換性のあるマルチI/Oコマンド・セットとフットプリント

リード・コマンド

ノーマル、高速、デュアル・チャネル、クワッド、高速DDR、デュアル・チャネルDDR、クワッドDDR

オートスタート - 電源投入時またはリセット時に、あらかじめ選択されたアドレスでノーマルまたはクワッドリードコマンドが自動的に実行されます。

コンフィギュレーション情報用コモン・フラッシュ・インターフェイス(CFI)データ

プログラミング(1.5Mバイト/秒)

256または512バイト・ページ・プログラミング・バッファ・オプション

低速クロック・システム用の4入力ページ・プログラミング(QPP)

自動ECC - 内部ハードウェア・エラー訂正コード生成およびユニット・エラー訂正

消去(0.5~0.65Mバイト/秒)

混合セクタ・サイズ・オプション:アドレス空間の最上位または最下位に32個の物理的4バイト・セクタ、残りのセクタはすべて64バイト、旧世代のS25FLデバイスと互換性あり

ユニフォーム・セクタ・オプション:常に256キロバイト・ブロックを消去し、高密度デバイスや将来のデバイスとのソフトウェア互換性を確保。


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