需給メモリIC (4Gb) IS43LD32128B-18BLI、IS43LD32128B-18BPLI ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ

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需給メモリIC (4Gb) IS43LD32128B-18BLI、IS43LD32128B-18BPLI ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ

ソース:このサイト時間:2023-12-06ブラウズ数:

明佳達会社供給は、記憶 IC IS43LD32128B-18BLI、IS43LD32128B-18BPLI の動的ランダム・アクセス記憶 4G、1.2/1.8V、LPDDR2、128Mx32、533MHz を獲得します需給モデル： IS43LD32128B-18BLI, IS43LD32128B-18BPLIロット: 新品パッケージ: 134-TFBGA、168-VFBGA長期高価格…

明佳達会社供給は、記憶 IC IS43LD32128B-18BLI、IS43LD32128B-18BPLI の動的ランダム・アクセス記憶 4G、1.2/1.8V、LPDDR2、128Mx32、533MHz を獲得します

需給モデル： IS43LD32128B-18BLI, IS43LD32128B-18BPLI

ロット: 新品

パッケージ: 134-TFBGA、168-VFBGA

長期高価格現金リサイクル個人と工場の電子部品の在庫、唯一の代理店、トレーダー、端末工場などの正式なチャネルのソースをリサイクルします。

製品の説明

IS43LD32128B-18BLI、IS43LD32128B-18BPLIは、4GビットCMOS LPDDR2 DRAMです。このデバイスは、8つの32ビット16メガバイトワード群で構成されています。この製品は、高速動作を実現するためにデュアルデータレートアーキテクチャを採用しています。デュアル・データ・レート・アーキテクチャは、基本的に4Nプリフェッチ・アーキテクチャであり、1クロック・サイクルあたり2つのデータ・ワードをI/Oピンで転送するように設計されたインターフェイスを備えています。これは、クロックの立ち上がりエッジと立ち下がりエッジに完全に同期した動作を提供します。データ・パスは内部的にパイプライン化され、4nビット・プリフェッチされることで、非常に高い帯域幅を実現しています。

製品属性

メモリ・タイプ：揮発性

メモリ形式： DRAM

テクノロジー： SDRAM - モバイルLPDDR2-S4

メモリ容量：4Gb

メモリ構成： 128M x 32

メモリー・インターフェース： HSUL_12

クロック周波数： 533 MHz

書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: 15ns

アクセス時間: 5.5 ns

電源電圧： 1.14V～1.3V、1.7V～1.95V

動作温度： -40°C ~ 85°C (TC)