MAX17510ATB：nチャネルMOSFETを内蔵した低電圧DDRリニアレギュレータ

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MAX17510ATB：nチャネルMOSFETを内蔵した低電圧DDRリニアレギュレータ

ソース:このサイト時間:2025-03-10ブラウズ数:

概説しますMAX17510ATBは、低電圧、低電圧、DDRリニアチャージャーです。同製品に適用される低電圧やddr電圧調整のシーンが必要で、入力電圧範囲は1.1 v 3.6 vに出力電圧範囲は0.5 v 1.5 vまで、最大出力電流は3 aの典型(値)‌。MAX17510ATBスーパーチャージャーは、独立…

概説します

MAX17510ATBは、低電圧、低電圧、DDRリニアチャージャーです。同製品に適用される低電圧やddr電圧調整のシーンが必要で、入力電圧範囲は1.1 v 3.6 vに出力電圧範囲は0.5 v 1.5 vまで、最大出力電流は3 aの典型(値)‌。MAX17510ATBスーパーチャージャーは、独立した3.3Vバイアス電源で制御回路に電力を供給し、内部nチャネルMOSFETを駆動します。

MAX17510ATBには電流制限機能と温度制限機能があり、リニアチャージャーの損傷を防ぐことができます。また、MAX17510ATBは、出力が安定電圧範囲であるか否かを示すPGOOD信号を発生します。起働時、PGOODは出力が2ms安定するまでローレベルを維持します。内部ソフトスタートは入力サージ電流を制限します。

MAX17510ATBは、低コスト、低電圧、高効率を実現するため、低消費電力と安定した電圧出力を必要とする用途に優れています。nチャネルMOSFETを内蔵し、さまざまな電子機器への適用性を高めています。

キー特性です

幅入力電圧範囲‌:max17510atb支持1.1 v ~ 3.6 v入力、适配低電圧電源シーン‌。

柔軟出力電圧‌:max17510atb調できる範囲は0.5 v ~ 1.5 v、ddrメモリーなどモーゲージ荷重‌需要を満たす。

高出力電流能力‌:nトレンチmosfetを集積max17510atb 3 aピーク电流の典型(値)を支持‌动态荷重シーンに適用される。

パッケージ寸法と‌:采用10ビアtdfn—epパッケージ(3 mm×3 mm)、pcb空間節約‌。

保護機能‌:max17510atb内蔵し流や熱オフ、柔らかく稼動保護機能、システム‌信頼性を高める。

効率統制特性‌:max17510atb尾行を入力外部支援基準、ダイナミック出力電圧調整、适配ddr端末‌送電バス。

低いなくすデザイン:‌静的な電流が低く、オフのモデルを支持し、最适化エコノ‌。

电路图.png