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ルネサス不揮発性メモリの供給：EEPROM＆PROM、MRAM、SPI NORフラッシュ

深セン明佳達電子有限公司は、世界的に有名な電子部品の販売代理店として、チップ供給の分野で大きな優位性を発揮しており、それは主に以下の側面に反映されています：

サプライチェーンと在庫の優位性

同社は200万種類以上の在庫モデルを有し、基本部品（ダイオード、コンデンサー、抵抗器など）からハイエンドチップ（5G、車載グレード、AI ICなど）までの全製品をカバーし、LGA、QFP、BGAなど様々なパッケージの部品を提供できる。そのサプライチェーンネットワークは全世界をカバーし、多くの国際ブランドと長期的な関係を築き、安定供給と信頼できる品質を確保しています。

品質保証と認証システム

同社はISO9001:2014品質管理システムとISO14001:2014環境管理システムの認証に合格し、製品の品質を厳格に管理し、異なる規格の部品を提供し、高い信頼性の要求を満たす。また、ワンストップオーダーマッチングサービスにより、ニッチチップ、コールドチップ、カスタマイズチップのニーズに効率的に対応し、顧客の調達問題を解決する。

価格競争力と納品効率

明佳達は「低利益、高売上、タイムリーな納品」の経営理念を堅持し、最適化されたサプライチェーン管理を通じて調達コストを削減し、市場で競争力のある価格を提供する一方、効率的な物流システムに頼って迅速な納品を実現し、顧客のプロジェクト進捗を確保する。

多様化する応用シーン

当社の製品は、5G通信、インテリジェントオーディオ、ワイヤレス充電、カーエレクトロニクス、医療機器などの分野で幅広く使用され、多業界の技術アップグレードのニーズに応えています。

不揮発性メモリー（NVM）は、あらゆるシステム設計の中核をなす重要なコンポーネントです。重要なデータを保持し、システムの起動方法を制御し、全体的なパフォーマンスに影響を与えます。適切なNVMを選択することが重要です。私たちがお手伝いします。当社の幅広い NVM 製品は、お客様のシステムの調整と最適化を支援するために設計されたさまざまな機能を提供します。

EEPROMとPROM

ルネサスのEEPROMは、先進のMONOSメモリ技術、CMOSプロセス、低電圧回路技術の採用により、高速、低消費電力、高信頼性を実現しています。

シリアルEEPROMの特長

標準シリアルインターフェース、I2C（2線式）パス、SPIパスでマイコンと直接接続可能

データ・セキュリティ機能、書き込み保護端子、ソフトウェア書き込み保護、データ信頼性向上

1.8V～5.5Vの広い動作電圧範囲、各種システム電源に対応

40 °C - +85 °Cの広い温度範囲、ハンドヘルド機にも対応

高速モード対応 400kHz～1MHz（I2Cバス） 3MHz～5MHz（SPIパス）高速データの読み出しが可能

小型パッケージ、SOP-8/TSSOP-8、-14、セット小型化

用途

携帯電話/コードレス電話/FAX：短縮ダイヤラ、通信履歴管理

TV/VTR/リモコン：チャンネル、モード設定

電話交換機、計測器：アプリケーションソフト、ログデータ保存

家電：微調整、使用履歴管理

MRAM

ルネサスは、独自技術である垂直磁気トンネル接合STT（スピントランスファートルク）を活用することで、長時間のデータ保持と高速シリアル/パラレルインタフェースによるクラス最高の不揮発性メモリを実現した次世代MRAM（磁気抵抗ランダムアクセスメモリ）を提供しています。ルネサスのMRAMは、幅広いメモリ密度と高い動作温度により、高速なバックアップデータ検索を必要とするFA機器から、長期間のデータ保存を必要とする医療用データユニットまで、幅広いアプリケーションに適しています。

MRAMメモリについて

MRAMは、磁性体のセル内にデータを保存するタイプのメモリです。薄い絶縁体で隔てられた2枚の強磁性プレートが磁化を保持します。一方のプレートは、特定の極性に設定された永久磁石です。もう一方のプレートの磁化は、外部磁場によって変化する。プログラミング中、この磁場は低抵抗または高抵抗の状態を作り出すことができ、それぞれデータ・ストレージの「0」または「1」を表します。

SPI NORフラッシュ

業界標準のNORアーキテクチャで構築されたルネサスフラッシュは、コードやデータの保存に信頼性の高いフラッシュメモリを必要とする産業用システム、電力重視システム、バッテリ駆動システムの電力および性能要件を満たすように設計されています。

当社の製品ラインナップには、システム・ブートなどのタスクに最適なスタンダード・クラスのほか、先進のFusionHD、超低エネルギー、DataFlashファミリーがあります。これらの高度なオプションは、MCUのオーバーヘッドを最小限に抑えるように設計されており、一般的なフラッシュメモリ・ソリューションと比較して85%以上のエネルギー削減を達成することができます。