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リサイクル メモリ チップ CY7C1061G30-10ZSXIT 16Mb 高速スタティック ランダム アクセス メモリ

リサイクル メモリ チップ CY7C1061G30-10ZSXIT 16Mb 高速スタティック ランダム アクセス メモリ

ソース:このサイト時間:2023-11-22ブラウズ数:

深圳市明佳達電子有限会社は、長期リサイクルメモリチップCY7C1061G30-10ZSXIT 16MbのECC付き高速静的ランダムアクセスメモリであり、唯一の代理店、トレーダー、端末工場などの正規のチャネルソースを受け入れます。製品詳細CY7C1061G30-10ZSXITは、ECC内蔵の高性能CMOS…

深圳市明佳達電子有限会社は、長期リサイクルメモリチップCY7C1061G30-10ZSXIT 16MbのECC付き高速静的ランダムアクセスメモリであり、唯一の代理店、トレーダー、端末工場などの正規のチャネルソースを受け入れます。


製品詳細

CY7C1061G30-10ZSXITは、ECC内蔵の高性能CMOS高速スタティックRAMデバイスです。 このデバイスは、シングルチップのイネーブルオプションとマルチピン構成の両方があります。


特長

高速

tAA = 10 ns/15 ns

シングル・ビット・エラー訂正用の組み込みエラー訂正コード(ECC)[1, 2]

低いアクティビティ電流とスタンバイ電流

ICC = 90 mA(100 MHzでの代表値)

ISB2 = 20 mA (代表値)

動作電圧範囲:1.65 V~2.2 V、2.2 V~3.6 V、4.5 V~5.5 V

1.0 Vデータ・ホールド

トランジスタ・トランジスタ・ロジック(TTL)互換入出力

1ビットのエラー検出と訂正を示すエラー表示(ERR)ピン

エラー訂正

鉛フリーの48ピンTSOP I、54ピンTSOP II、および48ボールVFBGAパッケージで入手可能


CY7C1061G30-10ZSXITの製品特性

製品カテゴリ:スタティック・ランダム・アクセス・メモリ

メモリ容量:16Mビット

構成: 1 M x 16

アクセス時間:10 ns

インターフェース・タイプ: パラレル

電源電圧(最大): 3.6 V

電源電圧 - min: 2.2 V

最大供給電流: 110 mA

最低動作温度: - 40

最大動作温度: + 85

実装スタイル: SMD/SMT

パッケージ/ケース: TSOP-54

保存タイプ: 揮発性

湿度感受性: はい

製品タイプ: SRAM

シリーズ: CY7C1061


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