(販売・取得）インフィニオン・トランジスタ IAUC60N04S6N050 車載グレードMOSFET

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(販売・取得）インフィニオン・トランジスタ IAUC60N04S6N050 車載グレードMOSFET

ソース:このサイト時間:2023-11-16ブラウズ数:

明佳達会社 (販売、取得) インフィニオントランジスタ IAUC60N04S6N050 車載グレードMOSFET - アレイ 40V 60A (Tj) 52W (Tc) 面実装 PG-TDSON-8-57モデル番号: IAUC60N04S6N050ロット: 新品 23+シリーズ: OptiMOS™プレゼンテーションインフィニオンテクノロジーズのOpti…

明佳達会社 (販売、取得) インフィニオントランジスタ IAUC60N04S6N050 車載グレードMOSFET - アレイ 40V 60A (Tj) 52W (Tc) 面実装 PG-TDSON-8-57

モデル番号: IAUC60N04S6N050

ロット: 新品 23+

シリーズ: OptiMOS™

プレゼンテーション

インフィニオンテクノロジーズのOptiMOS™ 6パワーMOSFETは、極めて高性能な先進の次世代革新的デバイスです。OptiMOS 6シリーズは、薄ウェーハ技術を採用し、性能を大幅に向上させています。 OptiMOS 6パワーMOSFETは、同等製品よりもRDS(ON)が30%低く、同期整流用に最適化されています。

さらに、このデバイスは品質係数（FOM - RDS(on) x QgおよびQgd）が高いため、設計者は効率を改善し、システム・コストを削減することができます。OptiMOS 6は、RDS(on)損失が大幅に低減された高出力という利点を維持し、その結果、全動作範囲にわたって性能がさらに向上しています。

製品属性

製品カテゴリー: MOSFET

技術: Si

実装スタイル： SMD/SMT

パッケージ/ケース：TDSON-8

トランジスタ極性： Nチャンネル

チャンネル数： 1チャンネル

Vds-ドレイン・ソース降伏電圧： 40 V

Id-連続ドレイン電流：74 A

Rds-ドレインオン抵抗：5 mOhms

Vgs - ゲート-ソース間電圧： - 16 V, + 16 V

Vgs th-ゲート・ソース間しきい値電圧：3 V