TI TPS53830RWZR DDR5 On-DIMM電源用統合型ステップダウン・デジタル・コンバータTPS53830RWZRの製品概要TPS53830RWZR は、DDR5 On-DIMM 電源用の D-CAP+™ モード内蔵降圧コンバータです。TPS53830RWZRは、VDD、VDDQ、およびVPP電圧をDIMMモジュール上のDRAMチップに、設…
TI TPS53830RWZR DDR5 On-DIMM電源用統合型ステップダウン・デジタル・コンバータ
TPS53830RWZRの製品概要
TPS53830RWZR は、DDR5 On-DIMM 電源用の D-CAP+™ モード内蔵降圧コンバータです。TPS53830RWZRは、VDD、VDDQ、およびVPP電圧をDIMMモジュール上のDRAMチップに、設定可能な電流能力で供給します。大電流レールは2相または2出力に構成でき、D-CAP+™モード制御で最大12A（または6A + 6A）の電流を供給します。また、TPS53830RWZRコンバータは、使いやすさと外付け部品の削減のために内部補償を採用しています。
TPS53830RWZRコンバータは、入力電圧、出力電圧、出力電流を含むフルセットのテレメトリを提供します。過電圧、低電圧、過電流制限、過熱保護も提供されます。
TPS53830RWZRは、熱強化された35ピンQFNにパッケージされ、-40℃～+125℃で動作します。
TPS53830RWZRの仕様
出力電流：6 A
入力電圧 - 最大：15 V
入力電圧 - 最小:4.5 V
最低動作温度:- 40
最大動作温度:+ 105 C
入力電圧範囲:4.5 V～15 V
TPS53830RWZRの特長
DDR5アプリケーションをサポートするシングルシリコン設計
VDD(1.1V)、VDDQ(1.1V)、VPP(1.8V)を供給する3出力(オプションで4出力目(VDD2)も可能)
3出力の場合、VDD(SWA Dual Phase)は12A、VDDQ(SWC)は6A、VPP(SWD)は5A。
4出力の場合、VDD1(SWA)が6 A、VDD2(SWB)が6 A、VDDQ(SWC)が6 A、VPP(SWD)が5 A
差動リモートセンス： VDD、VDDQ、VPP
D-CAP+™制御による高速過渡応答
広い入力電圧: 4.5 V～15 V
プログラム可能な内部ループ補償
フェーズごとのサイクル電流制限
プログラム可能な周波数：500 kHz～1.375 MHz
電圧、電流、電力、温度、故障状態のテレメトリ用I2CおよびI3Cバス・インタフェースをサポート
過電流、過電圧、過温度保護
永続レジスタ（ブラックボックス）機能
低静止電流
5mm×5mm、35ピン、QFN PowerPad™パッケージ
TPS53830RWZRのアプリケーション
サーバ用DDR5オンDIMM電源
TPS53830RWZRの利点
高効率
TPS53830RWZRは、高効率を必要とするアプリケーション向けに、高い変換効率とエネルギー損失の低減を実現した同期降圧設計を採用しています。
広い入力電圧範囲
TPS53830RWZRは、入力電圧範囲が広いため、幅広い電源環境に柔軟に対応できます。
高い出力電流
TPS53830RWZRは、高出力電流に対応しており、高電力要件を満たし、高負荷アプリケーションに適しています。
高集積
TPS53830RWZRは、MOSFETとコントローラを内蔵しているため、設計が簡素化され、外付け部品が削減され、スペースとコストが節約されます。
優れた熱性能
TPS53830RWZRは、優れた熱性能を持つ熱強化パッケージを採用しており、高温環境に適しています。
包括的な保護機能
TPS53830RWZRは、過電流、過電圧、低電圧、過熱などの複数の保護機能を備え、システムの信頼性を高めます。
柔軟な設計
TPS53830RWZRは、さまざまな設計要件を満たすために、調整可能な出力電圧と周波数をサポートしています。
小型パッケージ
TPS53830RWZRは、スペースに制約のあるアプリケーション向けに小型パッケージで提供されます。
低静止電流
TPS53830RWZRは、バッテリ駆動のデバイスに適した低静止電流を実現し、バッテリ寿命を延ばします。
環境規格への準拠
TPS53830RWZRは、RoHSおよびその他の環境規格に適合しており、最新のエレクトロニクス製品の環境要件を満たしています。
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