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マイクロンテクノロジー（NASDAQ：MU）は本日、次世代CPU向けに設計された第6世代（10ナノメートル）DRAMノードDDR5メモリの1GRAMサンプルを、エコシステム・パートナーおよび一部の顧客に初めて出荷したことを発表しました。 マイクロンの1アルファおよび1ベータDRAMノードにおけるこれまでのリーダーシップに基づき、1γDRAMノードのこの新たなマイルストーンは、クラウド、産業用および民生用アプリケーションから、AI PC、スマートフォン、自動車などのエンドサイドAIデバイスに至るまで、将来のコンピューティングプラットフォームのイノベーションを推進します。 Micron 1γ DRAMノードは、当初は16GビットDDR5 DRAM製品で提供され、高性能で電力効率の高いメモリソリューションに対するAI業界の高まる需要に応えるため、マイクロンのメモリポートフォリオに順次統合される予定です。 この16Gb DDR5製品は、最大9200MT/秒のデータ転送速度を実現し、従来製品に比べ最大15%1 の速度向上と20%2 以上の電力削減を実現しています。

1γ DRAMノードの重要性

データセンターやエンドサイドデバイスにおけるAIの普及に伴い、メモリに対するユーザーの需要はかつてないほど高まっています。 マイクロンの1γ DRAMノードへの移行は、顧客が抱える中核的な課題に対処するのに役立ちます：

性能の向上 - 1γノードベースのDRAMは優れた性能を発揮し、データセンターからエンドサイドデバイスまで、幅広いメモリ製品でコンピュートスケーリングを可能にし、将来のAIワークロードの需要に対応します。

消費電力の削減 - Micron 1γノードは、次世代の高KメタルゲートCMOS技術を採用しており、設計の最適化と相まって、消費電力を20%以上削減し、より優れた放熱性を実現します。

容量密度歩留まりの向上 - Micronの1γノードは、EUVリソグラフィを採用し、設計の最適化とプロセスの革新3により、1枚のウェハ上の容量密度歩留まりを前世代より30%以上向上させ、より効率的なメモリ供給のスケーラビリティを実現します。

マイクロンのエグゼクティブ・バイス・プレジデント兼最高技術・製品責任者であるスコット・デボアは、次のように述べています。「マイクロンは、独自のDRAM技術開発における専門知識とEUVリソグラフィの戦略的活用を組み合わせることで、1γノードをベースとした先進的なメモリポートフォリオを実現し、AIエコシステムの推進に貢献しています。 1γDRAMノードは、より高い容量密度の歩留まりを可能にし、マイクロンの卓越した製造技術を実証しています。

最適化された1γノードの開発におけるマイクロンの成功は、複数世代にわたる実績あるDRAM技術と製造戦略の上に築かれています。1γDRAMノードの革新は、トランジスタの性能を向上させる次世代の高Kメタルゲート技術を含むCMOS技術の進歩によって実現され、より高いレート、より最適化された設計、より小さなフィーチャサイズを可能にし、低消費電力と性能スケーリングの両方のメリットをもたらします。 その結果、消費電力の削減と性能のスケーリングの両方が実現します。 さらに、EUVリソグラフィの使用により、1γノードは極めて短い波長を使用してシリコンウェーハ上に微細なフィーチャーをエッチングし、業界をリードする容量密度の利点をもたらします。 同時に、世界中の製造拠点で1γノードを開発することで、マイクロンは業界により高度な技術を提供し、供給の弾力性を高めることができます。

マイクロンのエグゼクティブ・バイス・プレジデント兼チーフ・コマーシャル・オフィサーであるスミット・サダナ（Sumit Sadana）は、次のように述べています。「1γ DRAMプロセスは、その優れたエネルギー効率と卓越した性能により、画期的な成果です。 マイクロンの1γ DRAM製品は、データセンターからエンドサイドデバイスに至るまで、スケーラブルなメモリソリューションを提供し、AIのエコシステムを実現するとともに、当社の顧客が変化し続ける業界のニーズに対応できるようにします。」

クラウドからエンドサイドへの製品変革を推進

将来の製品の基礎となる1γノードは、マイクロンのメモリーポートフォリオに完全に統合されます：

データセンター - 1γベースのDDR5メモリソリューションは、データセンターに最大15%の性能向上を提供し、エネルギー効率を高め、サーバーの継続的な性能拡張をサポートします。

エンドサイドAI - 1γ低消費電力DRAMソリューションは、電力効率と帯域幅を向上させ、エンドサイドAIソリューションのユーザーエクスペリエンスを強化します。

AI PC - 1γ DDR5 SODIMM は性能を向上させ、消費電力を 20%4 削減することで、バッテリ寿命を延ばし、ノートパソコンのユーザー体験を最適化します。

モバイル機器 - 1γ LPDDR5Xは優れたAI体験を提供し、モバイル機器におけるマイクロンのリーダーシップを拡大します。

オートモーティブ - 1γベースのLPDDR5Xメモリは、最大9600MT/秒を実現しながら、容量、耐久性、性能を向上させます。

業界からのコメント

AMDのサーバー・プラットフォーム・ソリューション部門のエンジニアリング担当コーポレート・バイス・プレジデントであるアミット・ゴエル（Amit Goel）は、次のように述べています。「マイクロンの1γDRAMノードの進展と、マイクロンの1γDDR5メモリの検証作業がすでに進んでいることに満足しています。 次世代AMD EPYC（ロールス・ロイス）データセンター製品およびコンシューマ向けプロセッサの全製品でコンピューティング・エコシステムを進化させ続けるために、マイクロンとの緊密な協力関係は極めて重要です。

マイクロンの1γノードの進歩は、インテルサーバーとAI PCに電力と容量の大幅な最適化をもたらします。 マイクロンのDRAM技術における継続的な革新を嬉しく思うとともに、これらの利点を基にサーバーシステムの性能とPCの耐久性をさらに向上させることを楽しみにしています。 インテルは、厳格なサーバー検証プロセスを通じてマイクロンの1γ DDR5メモリのサンプルを検証し、お客様に高品質でクラス最高のサーバーシステムをお届けします。」

対象となる顧客およびパートナーは、マイクロンのDDR5テクニカル・サポート・プログラム（TEP）に参加することで、次世代コンピューティング・プラットフォームの設計、開発、立ち上げに関する技術情報、電気的および熱的モデリング、サポートをいち早く利用することができます。

1.データレートの向上は、1γ DDR5メモリ製品の予想レートに基づいています。

2. 消費電力の削減は、1γ DDR5 メモリと 1β DDR5 メモリの消費電力（ワット）の比較に基づく。 3. 枚葉式容量の改善。

3.ウェハあたりの容量増加率は、1βプロセスと1γプロセスのウェハ全体の容量密度の比較に基づいています。

4. 消費電力の削減は、1γ DDR5 SODIMM メモリと 1β DDR5 SODIMM メモリの消費電力（ワット）の比較に基づく。