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供給 NXP A2I20H060GNR1 RF LDMOS広帯域集積パワーアンプ

供給 NXP A2I20H060GNR1 RF LDMOS広帯域集積パワーアンプ

ソース:本站時間:2023-11-11ブラウズ数:

供給 NXP A2I20H060GNR1 RF LDMOS広帯域集積パワーアンプ製品概要A2I20H060GNR1広帯域集積回路は、非対称ドハティ設計で、オンチップ整合により1800~2200MHzで使用可能です。この多段構造は、26~32V動作に対応し、すべての一般的なセルラー基地局変調フォーマットに対応…

供給 NXP A2I20H060GNR1 RF LDMOS広帯域集積パワーアンプ


製品概要

A2I20H060GNR1広帯域集積回路は、非対称ドハティ設計で、オンチップ整合により1800~2200MHzで使用可能です。この多段構造は、26~32V動作に対応し、すべての一般的なセルラー基地局変調フォーマットに対応しています。


製品特性

技術:LDMOS

構成:デュアル

周波数:1.84GHz

利得:28.9dB

電圧-テスト:28 V

電流-テスト:24 mA

出力:12W

定格電圧:65 V

取付タイプ:表面実装


特長

高性能インパッケージ・ドハティ

オンチップ・マッチング(50オーム入力、DCブロック)

イネーブル/ディセーブル機能付き休止電流温度補償内蔵

デジタル・プレディストーション・エラー補正システム用に設計


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