深圳市明佳達電子有限会社 [供給、リサイクル] ISO5852SQDWRQ1 (TI) 高CMTI 2.5Aおよび5A強化絶縁IGBT、MOSFETゲートドライバ製品概要ISO5852SQDWRQ1は、高CMTI 2.5Aおよび5A強化絶縁IGBT、MOSFETゲートドライバで、スプリット出力とアクティブ保護機能を備えています。入…
深圳市明佳達電子有限会社 [供給、リサイクル] ISO5852SQDWRQ1 (TI) 高CMTI 2.5Aおよび5A強化絶縁IGBT、MOSFETゲートドライバ
製品概要
ISO5852SQDWRQ1は、高CMTI 2.5Aおよび5A強化絶縁IGBT、MOSFETゲートドライバで、スプリット出力とアクティブ保護機能を備えています。入力側は2.25V～5.5Vの単一電源で動作します。出力側は、最小15Vから最大30Vの電源範囲で動作します。2つの相補CMOS入力がゲート・ドライバの出力状態を制御します。76nsという短い伝搬時間により、出力段の正確な制御が可能です。
製品属性
技術 容量性カップリング
チャンネル数 1
電圧 - 絶縁： 5700Vrms
コモンモード過渡イミュニティ（最小）： 100kV/µs
伝搬遅延 tpLH / tpHL (Max)： 110ns, 110ns
立ち上がり/立ち下がり時間（標準） 18ns、20ns
電流 - 出力ハイ、ロー： 1.5A、3.4A
電流 - ピーク出力： 2.7A、5.5A
電圧 - 出力電源 15V～30V
グレード 自動車用
認定 AEC-Q100
動作温度: -40°C ~ 125°C
マウントタイプ 表面実装
パッケージ/ケース： 16-SOIC（0.295インチ、7.50mm幅）
サプライヤーデバイスパッケージ： 16-SOIC
アプリケーション
絶縁IGBTおよびMOSFETドライブ
- HEVおよびEVパワー・モジュール
- 産業用モーター制御ドライブ
- 産業用電源
- ソーラー・インバータ
- 誘導加熱
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