ウィンボンドメモリチップW632GU6MB-12ダイナミックランダムアクセスメモリ2Gb DDR3L 1.35V

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ウィンボンドメモリチップW632GU6MB-12ダイナミックランダムアクセスメモリ2Gb DDR3L 1.35V

ソース:このサイト時間:2023-10-26ブラウズ数:

深圳市明佳達電子有限会社元の在庫の販売 Winbond W632GU6MB-12 の動的ランダム・アクセスメモリ IC 2Gb の平行 800 の MHz 20 の ns 96-VFBGA （7.5x13）メーカー：ウィンボンドエレクトロニクスモデル番号： W632GU6MB-12年: 1822+説明: IC DRAM 2GBビットパラレル96V…

深圳市明佳達電子有限会社元の在庫の販売 Winbond W632GU6MB-12 の動的ランダム・アクセスメモリ IC 2Gb の平行 800 の MHz 20 の ns 96-VFBGA （7.5x13）

メーカー：ウィンボンドエレクトロニクス

モデル番号： W632GU6MB-12

年: 1822+

説明: IC DRAM 2GBビットパラレル96VFBGA

製品の特性

製品カテゴリ：ダイナミックランダムアクセスメモリ

タイプ： SDRAM - DDR3L

実装スタイル： SMD/SMT

パッケージ/ケース： VFBGA-96

データバス幅： 16ビット

構成： 128 M x 16

メモリ容量： 2 Gビット

最大クロック周波数： 800 MHz

電源電圧-最大： 1.45 V

電源電圧-最小： 1.283 V

電源電流-最大： 145 mA

最低動作温度： 0

最大動作温度： + 95

シリーズ: W632GU6MB

湿度感受性: はい

製品タイプ: DRAM

工場出荷時パッケージ数量: 198

サブカテゴリー: Memory & Data Storage

ウィンボンドDRAM製品ポートフォリオ

ウィンボンドのDRAMポートフォリオには、民生、通信、周辺機器、産業および自動車市場向けのモバイルRAMおよび特殊DRAMが含まれます。特殊DRAMは、完全なソリューションを提供するための高性能と高速性を特徴としています。SDR、DDR、DDR2、DDR3は、産業および自動車アプリケーションをサポートするために、AEC-Q100、TS16949、ISO9001/14001、およびOHSAS18001の認定を受けています、ウィンボンドは、SiPパッケージのボンディングやパワー/サーマル、DRAMシミュレーション、ウェーハレベルのスピードテストなどについて、KGDの顧客に専門的なアドバイスを提供しています。

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