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[供給、リサイクル] S29GL01GT10TFI010 (Infineon) FLASH - NORメモリIC、56-TSOP

[供給、リサイクル] S29GL01GT10TFI010 (Infineon) FLASH - NORメモリIC、56-TSOP

ソース:このサイト時間:2023-10-24ブラウズ数:

深圳市明佳達電子有限会社 [供給、リサイクル] S29GL01GT10TFI010 (Infineon) FLASH - NORメモリIC、56-TSOP製品概要S29GL01GT10TFI010は、45nmプロセス技術で製造されたMIRRORBIT™フラッシュ製品です。このデバイスは、15 nsという高速ページ・アクセス時間と、100 nsと…

深圳市明佳達電子有限会社 [供給、リサイクル] S29GL01GT10TFI010 (Infineon) FLASH - NORメモリIC、56-TSOP


製品概要

S29GL01GT10TFI010は、45nmプロセス技術で製造されたMIRRORBIT™フラッシュ製品です。このデバイスは、15 nsという高速ページ・アクセス時間と、100 nsという高速ランダム・アクセス時間を提供します。この製品は、1回の操作で最大256ワード/512バイトをプログラムできる書き込みバッファを備えており、標準的なプログラミング・アルゴリズムよりも高速な実効プログラミング時間を実現します。


製品属性

メモリ・タイプ 不揮発性

メモリー・フォーマット フラッシュ

テクノロジー フラッシュ - NOR

メモリサイズ: 1Gbit

メモリ構成 128M x 8

メモリ・インターフェース パラレル

書き込みサイクルタイム: ワード、ページ 60ns

アクセス時間: 100ns

電圧 - 供給 2.7V ~ 3.6V

動作温度: -40°C ~ 85°C (TA)

実装タイプ 表面実装

パッケージ/ケース:56-TFSOP(0.724インチ、18.40mm 幅)

サプライヤーデバイスパッケージ: 56-TSOP


製品の特徴

45nm MIRRORBIT™テクノロジー

読み出し/プログラム/消去用単一電源(VCC)(2.7 V~3.6 V)

多用途I/O機能

- 広いI/O電圧範囲(VIO): 1.65 V~VCC

×8/×16データ・バス

非同期32バイト・ページ読み出し

512バイト・プログラミング・バッファ

- 最大512バイトのページ倍数プログラミング

単一ワードおよび同一ワード上の複数プログラム・オプション

自動エラー・チェックおよび訂正(ECC)-シングル・ビット・エラー訂正付き内蔵ハードウェアECC

セクタ消去 - 一様な128KBセクタ


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