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STマイクロエレクトロニクス パワートランジスタ_STGB19NC60KDT4_短絡保護IGBT 20 A、600 V

STマイクロエレクトロニクス パワートランジスタ_STGB19NC60KDT4_短絡保護IGBT 20 A、600 V

ソース:このサイト時間:2025-02-22ブラウズ数:

深圳市明佳達電子有限会社は、STマイクロエレクトロニクス社のパワートランジスタ_STGB19NC60KDT4_短絡保護IGBT 20 A、600 V、125 W面実装D2PAKを紹介します。説明STGB19NC60KDT4 トレンチ技術による600 V IGBTファミリに属する高性能絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(…

深圳市明佳達電子有限会社は、STマイクロエレクトロニクス社のパワートランジスタ_STGB19NC60KDT4_短絡保護IGBT 20 A、600 V、125 W面実装D2PAKを紹介します。


説明

STGB19NC60KDT4 トレンチ技術による600 V IGBTファミリに属する高性能絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)です。 このデバイスは、優れたスイッチング性能と低導通損失を実現する先進のPowerMESH™技術を備えています。


STGB19NC60KDT4は、以下のアプリケーションで広く使用されています:

産業用ドライブ:モータ制御、溶接装置、CNC工作機械など。

電源システム:スイッチング電源、インバータ、充電器

再生可能エネルギー:ソーラーインバータ、風力発電

電気自動車:モーター駆動


モデル番号: STGB19NC60KDT4

電圧-コレクタブレークダウン(最大): 600 V  

電流-コレクタ(Ic)(最大):35 A  

電流-コレクタパルス(Icm):75 A  

Vge、Icを変化させたときのVce(on) (max): 2.75 V @ 15 V、12 A  

電力 - 最大: 125 W  

スイッチングエネルギー: 165µJ(オン)、255µJ(オフ)  

入力タイプ: 標準  

ゲート電荷: 55 nC  

25℃でのTd(オン/オフ)値: 30ns/105ns  

テスト条件:480V、12A、10Ω、15V  

逆回復時間(trr):31ns  

動作温度: -55°C ~ 150°C (TJ)  

実装タイプ: 表面実装  

パッケージ/ケース:TO-263-3、D2PAK(2リード+タブ)、TO-263AB  

サプライヤーデバイスパッケージ: D2PAK 


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