【Renesas】R2A25110KSPのIGBT駆働スマートパワーデバイスを回収、供給します。商品説明:R2A25110KSPスマートパワーデバイスは、高電圧インバータアプリケーションにおけるIGBTゲート駆動用に設計されています。コアレスのトランス構成を持つマイクロアイソレータは、1次…
【Renesas】R2A25110KSPのIGBT駆働スマートパワーデバイスを回収、供給します。
商品説明:
R2A25110KSPスマートパワーデバイスは、高電圧インバータアプリケーションにおけるIGBTゲート駆動用に設計されています。コアレスのトランス構成を持つマイクロアイソレータは、1次回路(MCU側)と2次回路(IGBT側)の間で高電圧に分離してデータを転送します。
R2A25110KSPスマートパワーデバイス集積IGBTゲート駆動回路、ミラークランプ回路、ソフトオフ回路およびIGBT温度検出などの保護回路です。また、R2A25110KSPは駆働並列IGBTに対応しています。
特性です
オンチップマイクロアイソレータ(絶縁回路)です。
高電圧遮蔽:2500VRMSです
高コモン・モード抑制(CMR): >35kV/usです
高出力ゲート駆動回路です
最大1.0オメガのゲート駆動出力抵抗(支持,igbt連結并列)
フレークにはミラークランプ機能があります
オンチップのソフトオフ機能です
動作温度範囲:-40°Cから+125°C(最高接合温度は+150°C)です。
5Vスーパーチャージャー付きです
各種オンチップ保護回路です
2チャンネルのIGBTエミッタ電流検出回路です
過電流検出(しきい値電圧:0.25V代表値)、短絡検出(しきい値電圧:0.5V代表値)です。
オーバーフロー検出機能(SELピン)のオン/オフが可能です。
2系統のIGBT温度検出回路です
オンチップ低電圧ロック回路です
4.1V典型値のVCC1 (5Vシステム)です。
10Vの典型値であるVCC2 (15Vシステム)です。
オンチップ過温度保護回路(+200℃)です。
障害フィードバック,外部コンデンサで障害保持時間を調整できます
典型的な応用です。
・自動車用途におけるEV/HEVの主要インバータです
・自動車用途におけるEV/HEVコンバータです
・インバータや変換器などの産業機器に使われています
R2A25110KSPブロック図です:
会社url: www.hkmjd.comです。
連絡先電話：86-755-83294757
企業QQ：1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
サービス時間：9:00-18:00
連絡先メールボックス：sales@hkmjd.com
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