深圳市明佳達電子有限会社 ST IGBTトランジスタ STGW25M120DF3 トレンチ型フィールドカット 1200 V 50 A 375 W スルーホール TO-247-3 新発売製品概要本デバイスは、独自の先進的なトレンチゲート・フィールドストップ構造を用いて開発されたIGBTで、低損失と短絡耐量が重…
深圳市明佳達電子有限会社 ST IGBTトランジスタ STGW25M120DF3 トレンチ型フィールドカット 1200 V 50 A 375 W スルーホール TO-247-3 新発売
製品概要
本デバイスは、独自の先進的なトレンチゲート・フィールドストップ構造を用いて開発されたIGBTで、低損失と短絡耐量が重要視されるインバータシステムの性能と効率の最適なバランスを実現するIGBTのMシリーズに属します。 さらに、正のVCE(飽和)温度係数と緊密なパラメータ分布により、並列運転がより安全になります。
すべての特徴
最大ジャンクション温度: TJ = 175 °C
10 μsの短絡耐量時間
低いVCE(飽和) = 1.85 V(代表値) @ IC = 25 A
タイトなパラメータ分布
正のVCE(飽和)温度係数
低熱抵抗
ソフトリカバリおよび高速リカバリ反並列ダイオード
製品特性
メーカー:STマイクロエレクトロニクス
製品カテゴリー: IGBTトランジスタ
技術: Si
パッケージ/ケース: TO-247-3
実装スタイル: スルーホール
構成:シングル
コレクタ・エミッタ間最大電圧VCEO:1.2 kV
コレクタ・エミッタ飽和電圧:1.85 V
ゲート/エミッタ最大電圧: - 20 V、20 V
連続コレクタ電流(25 C):50 A
Pd-電力損失:326 W
最低動作温度: - 55
最大動作温度: + 175 C
シリーズ: M
ゲート・エミッタ間リーク電流:250 nA
製品タイプ: IGBTトランジスタ
工場出荷時パッケージ数量: 600
サブカテゴリー: IGBT
ユニット重量: 38 g
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