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ST IGBTトランジスタ STGW25M120DF3 1200V、25A トレンチゲート・フィールドカットオフ

ST IGBTトランジスタ STGW25M120DF3 1200V、25A トレンチゲート・フィールドカットオフ

ソース:このサイト時間:2023-09-25ブラウズ数: 19

深圳市明佳達電子有限会社 ST IGBTトランジスタ STGW25M120DF3 トレンチ型フィールドカット 1200 V 50 A 375 W スルーホール TO-247-3 新発売製品概要本デバイスは、独自の先進的なトレンチゲート・フィールドストップ構造を用いて開発されたIGBTで、低損失と短絡耐量が重…

深圳市明佳達電子有限会社 ST IGBTトランジスタ STGW25M120DF3 トレンチ型フィールドカット 1200 V 50 A 375 W スルーホール TO-247-3 新発売


製品概要

本デバイスは、独自の先進的なトレンチゲート・フィールドストップ構造を用いて開発されたIGBTで、低損失と短絡耐量が重要視されるインバータシステムの性能と効率の最適なバランスを実現するIGBTのMシリーズに属します。 さらに、正のVCE(飽和)温度係数と緊密なパラメータ分布により、並列運転がより安全になります。


すべての特徴

最大ジャンクション温度: TJ = 175 °C

10 μsの短絡耐量時間

低いVCE(飽和) = 1.85 V(代表値) @ IC = 25 A

タイトなパラメータ分布

正のVCE(飽和)温度係数

低熱抵抗

ソフトリカバリおよび高速リカバリ反並列ダイオード


製品特性

メーカー:STマイクロエレクトロニクス

製品カテゴリー: IGBTトランジスタ

技術: Si

パッケージ/ケース: TO-247-3

実装スタイル: スルーホール

構成:シングル

コレクタ・エミッタ間最大電圧VCEO:1.2 kV

コレクタ・エミッタ飽和電圧:1.85 V

ゲート/エミッタ最大電圧: - 20 V、20 V

連続コレクタ電流(25 C):50 A

Pd-電力損失:326 W

最低動作温度: - 55

最大動作温度: + 175 C

シリーズ: M

ゲート・エミッタ間リーク電流:250 nA

製品タイプ: IGBTトランジスタ

工場出荷時パッケージ数量: 600

サブカテゴリー: IGBT

ユニット重量: 38 g

STGW25M120DF3.jpg

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