エレクトロニクス産業は、よりコンパクトでパワフルなシステムへと急速に移行しています。 このトレンドをサポートし、システムレベルでのイノベーションをさらに推進するため、パワーシステム、自動車、IoTにおける世界的な半導体リーダーであるInfineon Technologies A…
エレクトロニクス産業は、よりコンパクトでパワフルなシステムへと急速に移行しています。 このトレンドをサポートし、システムレベルでのイノベーションをさらに推進するため、パワーシステム、自動車、IoTにおける世界的な半導体リーダーであるInfineon Technologies AGは、Q-DPAKおよびTOLLパッケージの2つの新製品ファミリにより、CoolSiC™ MOSFET 650 V単一管ポートフォリオを拡張します。
CoolSiC™ MOSFET 650 V G2 Q-DPAK TSC
CoolSiC™ Generation 2 (G2)技術をベースとした上面冷却および底面冷却の2つの製品ファミリは、性能、信頼性、使いやすさを大幅に向上させます。 これらは特に、AIサーバー、再生可能エネルギー、充電杭、電動モビリティやヒューマノイドロボット、テレビ、アクチュエーター、ソリッドステートサーキットブレーカーを含む、中電力から大電力のスイッチドモード電源（SMPS）用に開発されました。
TOLLパッケージは優れた熱サイクルオンボード（TCoB）能力を持ち、プリント回路基板（PCB）フットプリントを削減することでコンパクトなシステム設計を可能にします。 また、SMPSに使用することで、システムレベルの製造コストを削減することができます。TOLLパッケージは、よりターゲットを絞ったアプリケーションに使用できるようになり、PCB設計者はさらなるコスト削減と市場の要求に応えることができます。
Q-DPAKパッケージの発売は、CoolMOS™ 8、CoolSiC™、CoolGaN™およびOptiMOS™を含む、インフィニオンが開発中の新しいトップ・クールド（TSC）製品を補完するものです。 TSC製品により、顧客は優れた堅牢性、より高い電力密度およびシステム効率を低コストで達成することができ、また以下のような方法で直接放熱を最大95%まで高めることができます。 また、両面PCBを可能にすることで、より優れたスペース管理と寄生効果の低減を実現します。
入手性
TOLLパッケージのCoolSiC™ MOSFET 650 V G2は、RパッケージのDS（開放）が10～60 mΩ、Q-DPAKモデルは7、10、15、20 mΩで利用可能になりました。
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