Toshiba Electronicは,従来品よりも高速なオン時間を実現した,s-vson4tパッケージの光リレー「TLP3414S」と「TLP3431S」を発表しました。TLP3414SおよびTLP3431Sのオフ出力端電圧およびスルー電流定格値は、それぞれ40 V/250 mAおよび20 V/450 mAです。新しい光リレーでは…
Toshiba Electronicは,従来品よりも高速なオン時間を実現した,s-vson4tパッケージの光リレー「TLP3414S」と「TLP3431S」を発表しました。TLP3414SおよびTLP3431Sのオフ出力端電圧およびスルー電流定格値は、それぞれ40 V/250 mAおよび20 V/450 mAです。
新しい光リレーでは,入力側の赤外線LEDの光出力を高め,フォトダイオード(フォトダイオード・アレイ)の設計を最適化することで,オン時間を最大150 μsまで短縮して効率的な光結合を実現しています。TLP3414SはTOSHIBA従来品のTLP3414に比べて導通時間を約50%、TLP3431SはTOSHIBA従来品のTLP3431に比べて約62 %短縮しました。
また、出力を開けたとき、両製品の導通抵抗信号を及ぼす放射(tlp3431s tlp3414s:最大オメガ3、最大1.2オメガ);出力オフ時の高週波信号漏れに出力容量の影響があります(両製品とも代表値6.5 pF)。新製品はTOSHIBA従来品に匹敵する安定した信号伝送を確保しました。
新製品は半導体試験装置のピンエレクトロニクス用途に適しており、信号をスイッチングしながら測定対象装置(DUT)を高精度かつ高速に測定することができます。
新製品は小型のs-vson4tパッケージを採用したことで,従来品のVSON4パッケージに比べてシート面積を約20%削減でき,半導体試験装置やその他の装置の小型化に貢献しています。
TOSHIBAは引き続き、より高性能な製品を提供し、半導体試験装置の高性能化と高速化のニーズに応えていきます。
応用です:
半導体試験装置(高速メモリ試験装置、高速論理試験装置など)です。
探知カードです
測定装置です
特性です:
高速オン時間:tON = 150 μs(最大値)です。
低オン抵抗です
tlp3414s = 3オメガ(値)が
tlp3431s = 1.2オメガ(値)が
小型s-vson4tパッケージ:1.45 mm×2.0 mm(代表値)、厚さ= 1.3 mm(代表値)
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