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ON NTMFS4C028NT1GNチャンネルMOSFETトランジスタ-FET

ON NTMFS4C028NT1GNチャンネルMOSFETトランジスタ-FET

ソース:このサイト時間:2022-06-02ブラウズ数:

明佳逹ブランドの新しいオリジナルONNTMFS4C028NT1GNチャネルMOSFETトランジスタ-FET、大量在庫、品質保証、ご相談を歓迎します!

NTMFS4C028NチャネルMVMOSFETは、シールドゲート技術と組み合わせた高度なパワートレンチプロセスを使用して製造された30V、40V、および60VのMOSFETです。このプロセスは、オン抵抗を最小限に抑えるように最適化されており、さらに優れたスイッチング性能を維持するために優れたソフトボディダイオードが採用されています。


製品の特性

FETタイプNチャネル

テクノロジーMOSFET(金属酸化物)

ドレイン-ソース間電圧(Vdss)30 V

25°Cでの電流-連続ドレイン(Id)9A(Ta)

駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)4.5V、10V

さまざまなIdでのオン抵抗(最大)、Vgs5.8ミリオーム@30A、10V

異なるId2.1V@ 250µAでのVgs(th)(最大)

さまざまなVgsでのゲート電荷(Qg)(最大)10.9 nC @ 4.5 V

Vgs(最大)±20V

Vds(最大)での入力容量(Ciss)1252 pF @ 15 V

FET機能-

消費電力(最大)760mW(Ta)、25.5W(Tc)

作動温度-55°C〜150°C(TJ)

取付タイプ表面実装

ベンダーデバイスパッケージ5-DFN(5x6)(8-SOFL)

パッケージ/ケース8-PowerTDFN、5リード


応用

CPUパワー

DC-DCコンバータ


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